Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние фотоиндуцированного локального объемного заряда на эффективную скорость фотогенерации носителей в продольном фоторезисторе
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.07.54044.19251 
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия 
2АО НПО "Орион", Москва, Россия
2АО НПО "Орион", Москва, Россия
Email: vkholodnov@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 17 мая 2022 г.
Принята к печати: 1 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 26 июня 2022 г.
Теоретически показано, что эффективная скорость фотогенерации носителей в продольном фоторезисторе, непосредственно инициирующая преобразование излучения в электрический ток, может быть положительной, равной нулю и отрицательной, а по абсолютной величине существенно превосходить истинную скорость фотогенерации носителей. Эффекты обусловлены фотоиндуцированным локальным объемным зарядом. Ключевые слова: фотоиндуцированный заряд, коэффициент поглощения.
- V.A. Kholodnov, Global J. Astron. Appl. Phys. (USA), 2 (1), 1 (2020). DOI: 10.46940/gjaap.02.1002
- В.А. Холоднов, Успехи прикладной физики, 8 (4), 265 (2020). [V.A. Kholodnov, J. Commun. Technol. Electron., 66 (9), 1103 (2021). DOI: 10.1134/S1064226921090059]
- В.А. Холоднов, Прикладная физика, 67 (4), 47 (2021). DOI: 10.51368/1996-0948-2021-4-47-51 [V.A. Kholodnov, J. Commun. Technol. Electron., 67 (3), 340 (2022). DOI: 10.1134/S106422692203006]
- А.Г. Милнс, Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (Мир, М., 1977), с. 11--131. [A.G. Milns, Deep impurities in semiconductors (John Wiley and Sons, N.Y.-London-Sydney-Toronto, 1973)
- С. Зи, Физика полупроводниковых приборов (Мир, М., 1984). [S.M. Sze, Physics of semiconductor devices (John Wiley and Sons, N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, 1981)
- G. Lutz, Semiconductor radiation detectors (Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-N.Y., 2007)
- A. Rogalski, Infrared detectors (CRC Press, Taylor \& Francis Group, Boca Raton-London-N.Y., 2011)
- В.П. Пономаренко, А.М. Филачев, Инфракрасная техника и электронная оптика (Физматкнига, М., 2016)
- В.П. Пономаренко, Квантовая фотосенсорика (Орион, М., 2018)
- А.М. Филачев, И.И. Таубкин, М.А. Тришенков, Твердотельная фотоэлектроника. Фоторезисторы и фотоприемные устройства (Физматкнига, М., 2012)
- В.А. Холоднов, Успехи прикладной физики, 6 (6), 485 (2018). [V.A. Kholodnov, J. Commun. Technol. Electron., 64 (9), 1038 (2019). DOI: 10.1134/S1064226919090110]
- V.A. Kholodnov, М.S. Nikitin, in Optoelectronics --- materials and devices, ed. by S.L. Pyshkin, J. Ballato (InTech, 2015), ch. 12, p. 301-348. www.intechopen.com
- A.A. Drugova, V.A. Kholodnov, Solid-State Electron., 38 (6), 1247 (1995). DOI: 10.1016/0038-1101(94)00154-8
- В.А. Холоднов, ФТП, 30 (6), 1011 (1996). https://journals.ioffe.ru/articles/18445 [V.A. Kholodnov, Semiconductors, 30 (6), 538 (1996).]
- В.А. Холоднов, Письма в ЖЭТФ, 67 (9), 655 (1998). http://jetpletters.ru/cgi-bin/articles/download.cgi/1008/ article_15311.pdf [V.A. Kholodnov, JETP Lett., 67 (9), 685 (1998) DOI: 10.1134/1.567702]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
