"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние морфологии буферного слоя AlN на структурное качество полуполярного слоя GaN, выращенного на подложке Si(001), по данным просвечивающей электронной микроскопии
Кириленко Д.А.1, Мясоедов А.В.1, Калмыков А.Е.1, Сорокин Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 9 декабря 2021 г.
Принята к печати: 18 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 7 января 2022 г.

Методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения проведено исследование структурных особенностей интерфейса между полуполярным слоем нитрида галлия и буферным слоем нитрида алюминия, выращенных на комбинированной подложке SiC/Si(001) с разориентацией 7o. Выявлено влияние морфологии интерфейса на структурное качество слоя нитрида галлия: фасетированная структура поверхности буферного слоя снижает плотность прорастающих дислокаций. Ключевые слова: полуполярный GaN, просвечивающая электронная микроскопия, дислокация, подложка Si(001).
  1. http://www.matprop.ru/InN\_dvdv
  2. R.R. Reeber, K. Wang, MRS Online Proc. Library, 622, 6351 (2000). DOI: 10.1557/PROC-622-T6.35.1
  3. L. Liu, J.H. Edgar, Mater. Sci. Eng. R, 37, 61 (2002). DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6
  4. F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt, Phys. Rev. B, 56, R10024 (1997). DOI: 10.1103/PhysRevB.56.R10024
  5. F. Bernardini, V. Fiorentini, Phys. Rev. B, 57, R9427 (1998). DOI: 10.1103/PhysRevB.57.R9427
  6. A.E. Romanov, T.J. Baker, S. Nakamura, J.S. Speck, J. Appl. Phys., 100, 023522 (2006). DOI: 10.1063/1.2218385
  7. X. Zhao, K. Huang, J. Bruckbauer, S. Shen, C. Zhu, P. Fletcher, P. Feng, Y. Cai, J. Bai, C. Trager-Cowan, R.W. Martin, T. Wang, Sci. Rep., 10, 12650 (2020). DOI: 10.1038/s41598-020-69609-4
  8. R. Mantach, P. Vennegues, J. Zuniga Perez, P. De Mierry, M. Leroux, M. Portail, G. Feuillet, J. Appl. Phys., 125, 035703 (2019). DOI: 10.1063/1.5067375
  9. I. Kim, J. Holmi, R. Raju, A. Haapalinna, S. Suihkonen, J. Phys. Commun., 4, 045010 (2020). DOI: 10.1088/2399-6528/ab885c
  10. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, J. Phys. D.: Appl. Phys., 47, 313001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
  11. V. Bessolov, A. Kalmykov, E. Konenkova, S. Kukushkin, A. Myasoedov, N. Poletaev, S. Rodin, J. Cryst. Growth, 457, 202 (2017). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.05.025
  12. Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, В.Б. Шевцов, В.А. Боженкин, В.И. Вдовин, ФТТ, 49 (4), 596 (2007). [L.K. Orlov, Yu.N. Drozdov, V.B. Shevtsov, V.A. Bozhenkin, V.I. Vdovin, Phys. Solid State, 49 (4), 627 (2007). DOI: 10.1134/S1063783407040051]
  13. Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, Н.А. Алябина, Н.Л. Ивина, В.И. Вдовин, И.Н. Дмитрук, ФТТ, 51 (3), 446 (2009). [L.K. Orlov, Yu.N. Drozdov, N.A. Alyabina, N.L. Ivina, V.I. Vdovin, I.N. Dmitruk, Phys. Solid State, 51 (3), 474 (2009). DOI: 10.1134/S1063783409030056]
  14. F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
  15. H. Nagai, J. Appl. Phys., 45, 3789 (1974). DOI: 10.1063/1.1663861
  16. X.R. Huang, J. Bai, M. Dudley, R.D. Dupuis, U. Chowdhury, Appl. Phys. Lett., 86, 211916 (2005). DOI: 10.1063/1.1940123
  17. А.Е. Калмыков, А.В. Мясоедов, Л.М. Сорокин, Письма в ЖТФ, 44 (20), 53 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.20.46806.17452 [A.E. Kalmykov, A.V. Myasoedov, L.M. Sorokin, Tech. Phys. Lett., 44 (10), 926 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018100267]
  18. M. Khoury, H. Li, H. Zhang, B. Bonef, M.S. Wong, F. Wu, D. Cohen, P. De Mierry, P. Vennegues, J.S. Speck, S. Nakamura, S.P. DenBaars, ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 47106 (2019). DOI: 10.1021/acsami.9b17525

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.