"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Сегнетоэлектрические свойства гетероструктуры Sr0.5Ba0.5Nb2O6/Ba0.2Sr0.8TiO3/Si(001)
Государственное задание, Государственное задание ЮНЦ РАН на 2022 год
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, 075-15-2021-696
Государственное задание, FSME-2020-0031 (0718-2020-0031)
Киселев Д.А. 1, Павленко А.В. 2,3, Зинченко С.П. 2
1Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
3Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
Email: dm.kiselev@gmail.com, Antvpr@mail.ru, tres-3@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 23 ноября 2021 г.
Принята к печати: 1 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 7 января 2022 г.

С использованием методов сканирующей зондовой микроскопии и диэлектрической спектроскопии проведены исследования свойств c-ориентированных тонких пленок Sr0.5Ba0.5Nb2O6, выращенных на подложке Si(001) (p-тип) с предварительно осажденным слоем Ba0.2Sr0.8TiO3. Установлено, что пленки Sr0.5Ba0.5Nb2O6 характеризуются низкой шероховатостью поверхности (менее 6 nm), средним размером кристаллитов ~ 93 nm. Показано, что в пленке существует самопроизвольная поляризация, направленная от ее поверхности к подложке, что и обусловило проявления эффекта поля для случая подложки Si с проводимостью p-типа без внешнего полевого воздействия. Выявлены различия в величине сигнала поверхностного потенциала для областей, поляризованных внешним электрическим полем различной полярности (+10 и -10 V), а также в их релаксации к исходному состоянию. Обсуждаются причины установленных закономерностей. Ключевые слова: ниобат бария-стронция, SBN, сканирующая зондовая микроскопия, тонкие пленки.
  1. C.A.F. Vaz, Y.J. Shin, M. Bibes, K.M. Rabe, F.J. Walker, C.H. Ahn, Appl. Phys. Rev., 8 (4), 041308 (2021). DOI: 10.1063/5.0060218
  2. В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов, Физика диэлектрических пленок: механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти (Параллель, Новосибирск, 2017)
  3. R.A. McKee, F.J. Walker, M.F. Chisholm, Phys. Rev. Lett., 81 (14), 3014 (1998). DOI: 10.1103/PhysRevLett.81.3014
  4. C. Dubourdieu, J. Bruley, T.M. Arruda, A. Posadas, J. Jordan-Sweet, M.M. Frank, E. Cartier, D.J. Frank, S.V. Kalinin, A.A. Demkov, V. Narayanan, Nature Nanotechnol., 8, 748 (2013). DOI: 10.1038/nnano.2013.192
  5. В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, А.В. Павленко, Д.В. Стрюков, С.В. Бирюков, А.П. Ковтун, С.П. Зинченко, ФТТ, 60 (9), 1741 (2018). DOI: 10.21883/FTT.2018.09.46392.014 [V.M. Mukhortov, Yu.I. Golovko, A.V. Pavlenko, D.V. Stryukov, S.V. Biryukov, A.P. Kovtun, S.P. Zinchenko, Phys. Solid State, 60 (9), 1786 (2018). DOI: 10.1134/S1063783418090202]
  6. S. Ivanov, E.G. Kostsov, IEEE Sensors, 20 (16), 9011 (2020). DOI: 10.1109/JSEN.2020.298763
  7. S. Gupta, A. Paliwal, V. Gupta, M. Tomar, Opt. Laser Technol., 122, 105880 (2020). DOI: 10.1016/j.optlastec.2019.105880
  8. I. Horcas, R. Fernandez, J.M. Gomez-Rodri guez, J. Colchero, J. Gomez-Herrero, A.M. Baro, Rev. Sci. Instrum., 78 (1), 013705 (2007). DOI:10.1063/1.2432410
  9. А.В. Павленко, Д.А. Киселев, Я.Ю. Матяш, ФТТ, 63 (6), 776 (2021). DOI: 10.21883/FTT.2021.06.50939.035 [A.V. Pavlenko, D.A. Kiselev, Ya.Yu. Matyash, Phys. Solid State (2021). DOI: 10.1134/S1063783421060].
  10. J.J. Zhang, J. Sun, X.J. Zheng, Solid-State Electron., 53 (2), 170 (2009). DOI: 10.1016/j.sse.2008.10.012
  11. В.А. Гуртов, Твердотельная электроника (ПетрГУ, Петрозаводск, 2004)
  12. С.А. Борисов, Н.М. Окунева, С.Б. Вахрушев, А.А. Набережнов, Т.Р. Волк, А.В. Филимонов, ФТТ, 55 (2), 295 (2013). [S.A. Borisov, N.M. Okuneva, S.B. Vakhrushev, A.A. Naberezhnov, T.R. Volk, A.V. Filimonov, Phys. Solid State, 55 (2), 334 (2013). DOI: 10.1134/S1063783413020066].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.