Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 4 » Статья стр. 24
<<<>>>
Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2022.04.52080.19056
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.02.53584.19056
Российский научный фонд, 19-72-30004
Кукушкин С.А. 1,2, Осипов А.В. 1,2, Редьков А.В. 1,2, Стожаров В.М.3, Убыйвовк Е.В. 1, Шарофидинов Ш.Ш. 4
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3OOO "Научно-технический центр "Новые технологии", Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com, avredkov@gmail.com, ubyivovk@gmail.com, culkand@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 20 октября 2021 г.
Принята к печати: 15 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 декабря 2021 г.
PDF версия
Исследован рост слоев InGaN на гибридных подложках SiC/Si ориентаций (100), (110) и (111) методом хлорид-гидридной эпитаксии при температуре, заведомо превышающей температуру распада InN на атомы азота и металлический In (1000oC). На подложках ориентаций (110) и (111) обнаружено формирование нитевидных нанокристаллов InGaN. Исследованы форма и механизмы роста нитевидных нанокристаллов. Показано, что нанокристаллы зарождаются на поверхности (111) только внутри V-дефектов, образующихся в местах выхода винтовых дислокаций на поверхность. На поверхности (110) нанокристаллы образуются только на пьедесталах, возникающих в процессе роста пленки. Дано объяснение различия механизмов роста нанокристаллов на подложках разной ориентации. Ключевые слова: InGaN, гетероструктуры, SiC на Si, кремний, нитевидные нанокристаллы, наноструктуры, метод замещения атомов.
  1. V.O. Gridchin, K.P. Kotlyar, R.R. Reznik, A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, V.V. Lendyashova, D.A. Kirilenko, I.P. Soshnikov, D.S. Shevchuk, G.G. Cirlin, Nanotechnology, 32 (33), 335604 (2021). DOI: 10.1088/1361-6528/ac0027
  2. E. Roche, Y. Andre, G. Avit, C. Bougerol, D. Castelluci, F. Reveret, G. Evelyne, F. Medard, J. Leymarie, T. Jean, V.G. Dubrovskii, A. Trassoudaine, Nanotechnology, 29 (46), 465602 (2018). DOI: 10.1088/1361-6528/aaddc1
  3. H. Hijazi, M. Zeghouane, J. Jridi, E. Gil, D. Castelluci, V.G. Dubrovskii, C. Bougerol, Y. Andre, A. Trassoudaine, Nanotechnology, 32 (15), 155601 (2021). DOI: 10.1088/1361-6528/abdb16
  4. В.О. Гридчин, Р.Р. Резник, К.П. Котляр, А.С. Драгунова, Н.В. Крыжановская, А.Ю. Серов, С.А. Кукушкин, Г.Э. Цырлин, Письма в ЖТФ, 47 (21), 32 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894
  5. Y. Sato, S. Sato, J. Cryst. Growth, 144 (1-2), 15 (1994). DOI: 10.1016/0022-0248(94)90004-3
  6. H. Sunakawa, A. Atsushi Yamaguchi, A. Kimura, A. Usui, Jpn. J. Appl. Phys., 35 (11A), L1395 (1996). DOI: 10.1143/JJAP.35.L1395
  7. N. Takahashi, J. Ogasawara, A. Koukitu, J. Cryst. Growth, 172 (3-4), 298 (1997). DOI: 10.1016/S0022-0248(96)00751-8
  8. I. Grzegory, S. Krukowski, J. Jun, M. Bockowski, M. Wroblewski, S. Porowski, AIP Conf. Proc., 309 (1), 565 (1994). DOI: 10.1063/1.46099
  9. K. Hanaoka, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, J. Cryst. Growth, 318 (1), 441 (2011). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.079
  10. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Письма в ЖТФ, 47 (9), 51 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.19.51516.18879
  11. B. Dzuba, T. Nguyen, Y. Cao, R.E. Diaz, M.J. Manfra, O. Malis, J. Appl. Phys., 130 (10), 105702 (2021). DOI: 10.1063/5.0058154
  12. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, J. Appl. Phys., 113 (2), 024909 (2013). DOI: 10.1063/1.4773343
  13. С.А. Кукушкин, Ш.Ш. Шарофидинов, ФТТ, 61 (12), 2338 (2019). DOI: 10.21883/FTT.2019.12.48549.51ks [S.A. Kukushkin, Sh.Sh. Sharofidinov, Phys. Solid State, 61 (12), 2342 (2019). DOI: 10.1134/S1063783419120254]
  14. Ш.Ш. Шарофидинов, С.А. Кукушкин, А.В. Редьков, А.С. Гращенко, А.В. Осипов, Письма в ЖТФ, 45 (14), 24 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.14.48018.17841 [Sh.Sh. Sharofidinov, S.A. Kukushkin, A.V. Red'kov, A.S. Grashchenko, A.V. Osipov, Tech. Phys. Lett., 45 (7), 711 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019070277]
  15. S.A. Kukushkin, Sh.Sh. Sharofidinov, A.V. Osipov, A.V. Redkov, V.V. Kidalov, A.S. Grashchenko, I.P. Soshnikov, A.F. Dydenchuk, ECS J. Solid State Sci. Technol., 7 (9), P480 (2018). DOI: 10.1149/2.0191809jss
  16. A.V. Redkov, S.A. Kukushkin, Cryst. Growth Des., 20 (4), 2590 (2020). DOI: 10.1021/acs.cgd.9b01721
  17. S. Hernandez, R. Cusco, D. Pastor, L. Artus, K.P. O'Donnell, R.W. Martin, I.M. Watson, Y. Nanishi, E. Calleja, J. Appl. Phys., 98 (1), 013511 (2005). DOI: 10.1063/1.1940139
  18. S. Tripathy, S.J. Chua, P. Chen, Z.L. Miao, J. Appl. Phys., 92 (7), 3503 (2002). DOI: 10.1063/1.1502921
  19. Y.Y. Hervieu, J. Cryst. Growth, 568-569, 126187 (2021). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126187

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme