"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Кинетика самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в нитевидных нанокристаллах (In,Ga)As
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , 2019-1442
Russian Science Foundation , 18–72–10047
Saint Petersburg State University, 75746688
National Research University Higher School of Economics, Basic Research Program
Сибирев Н.В. 1, Бердников Ю.С. 1,2,3, Штром И.В. 1,4, Убыйвовк Е.В. 1,2, Резник Р.Р. 1,2, Цырлин Г.Э. 1,2,4
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: NickSibirev@yandex.ru, yury.berdnikov@itmo.ru, igorstrohm@mail.ru, ubyivovk@gmail.com, moment92@mail.ru, N.Sibirev@spbu.ru
Поступила в редакцию: 13 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 21 октября 2021 г.
Принята к печати: 22 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 30 ноября 2021 г.

Предложена модель самопроизвольного формирования структуры ядро-оболочка в ходе аксиального роста нитевидных нанокристаллов (In,Ga)As при синтезе методом молекулярно-пучковой эпитаксии без независимого бокового роста. В рамках предложенной модели рассчитано распределение In поперек оси нитевидного нанокристалла, согласующееся с экспериментальными наблюдениями. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы тройного состава, структуры ядро-оболочка, нитевидные нанокристаллы (In,Ga)As, радиальные гетероструктуры.
  1. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, ФТП, 43 (12), 1585 (2009). [V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov, Semiconductors, 43 (12), 1539 (2009). DOI: 10.1134/S106378260912001X]
  2. E. Barrigon, M. Heurlin, Z. Bi, B. Monemar, L. Samuelson, Chem. Rev., 119, 9170 (2019). DOI: 10.1021/acs.chemrev.9b00075
  3. M. Royo, M. De Luca, R. Rurali, I. Zardo, J. Phys. D: Appl. Phys., 50, 143001 (2017). DOI: 10.1088/1361-6463/aa5d8e
  4. V.G. Dubrovskii, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Y.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S. Rouvimov, N. Akopian, T. Kasama, G.E. Cirlin, Cryst. Growth Des., 16, 7251 (2016). DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01412
  5. E. Dimakis, M. Ramsteiner, A. Tahraoui, H. Riechert, L. Geelhaar, Nano Res., 5, 796 (2012). DOI: 10.1007/s12274-012-0263-9
  6. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин, Письма в ЖТФ, 30 (16), 41 (2004). [V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, Tech. Phys. Lett., 30 (8), 682 (2004). DOI: 10.1134/1.1792313]
  7. P. Periwal, N.V. Sibirev, G. Patriarche, B. Salem, F. Bassani, V.G. Dubrovskii, T. Baron, Nano Lett., 14, 5140 (2014). DOI: 10.1021/nl5019707
  8. J. Johansson, M. Ghasemi, Phys. Rev. Mater., 1, 040401 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.1.040401
  9. C.B. Maliakkal, E.K. Martensson, M.U. Tornberg, D. Jacobsson, A.R. Persson, J. Johansson, L.R. Wallenberg, K.A. Dick, ACS Nano., 14, 3868 (2020). DOI: 10.1021/acsnano.9b09816
  10. J.C. Harmand, G. Patriarche, F. Glas, F. Panciera, I. Florea, J.-L. Maurice, L. Travers, Y. Ollivier, Phys. Rev. Lett. 121, 166101 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevLett.121.166101
  11. Н.В. Сибирев, Письма в ЖТФ, 41 (5), 1 (2015). [N.V. Sibirev, Tech. Phys. Lett., 41 (3), 209 (2015). DOI: 10.1134/S1063785015030153]
  12. В.Г. Дубровский, Письма в ЖТФ, 42 (6), 104 (2016). [V.G. Dubrovskii, Tech. Phys. Lett., 42 (3), 332 (2016). DOI: 10.1134/S1063785016030196]
  13. P. Krogstrup, H.I. J rgensen, E. Johnson, M.H. Madsen, C.B. S rensen, A.F.I. Morral, M. Aagesen, J. Nygard, F. Glas, J. Phys. D: Appl. Phys., 46 (31), 313001 (2013). DOI: 10.1088/0022-3727/46/31/313001
  14. A. Scaccabarozzi, A. Cattoni, G. Patriarche, L. Travers, S. Collin, J.C. Harmand, F. Glas, F. Oehler, Nanoscale, 12, 18240 (2020). DOI: 10.1039/d0nr04139d

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.