Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Нелокальная динамика электронов в AlGaN/GaN-транзисторных гетероструктурах
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.01.52479.18996 
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия 
Email: bogdanov_sa@mail.ru, borisov@istokmw.ru, serge95a@mail.ru, m.kuliev@mail.ru, solidstate10@mail.ru, evteryoshkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 1 октября 2021 г.
Принята к печати: 15 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 15 ноября 2021 г.
Проведено сравнение нелокального разогрева электронов в транзисторных гетероструктурах на основе нитрида и арсенида галлия. Показано, что поперечный пространственный перенос электронов между слоями двойных псевдоморфных GaAs-гетероструктур в разы уменьшает величину всплеска их дрейфовой скорости при влете в область сильного поля по сравнению с его величиной в чистом объемном GaAs, а для гетероструктур на основе GaN аналогичный эффект не превышает 30%. Ключевые слова: поперечный пространственный перенос, гетероструктура, всплеск дрейфовой скорости.
- V. Camarchia, R. Quaglia, A. Piacibello, D.P. Nguyen, H. Wang, A.-V. Pham, IEEE Trans. Microw. Theory Techn., 68 (7), 2957 (2020). DOI: 10.1109/TMTT.2020.2989792
- M. Micovic, A. Kurdoghlian, A. Margomenos, D.F. Brown, K. Shinohara, S. Burnham, I. Milosavljevic, R. Bowen, A.J. Williams, P. Hashimoto, R. Grabar, C. Butler, A. Schmitz, P.J. Willadsen, D.H. Chow, in 2012 IEEE/MMT-S Int. Microwave Symp. Digest (IEEE, 2012), p. 1. DOI: 10.1109/MWSYM.2012.6259572
- Y. Tang, K. Shinohara, D. Regan, A. Corrion, D. Brown, J. Wong, A. Schmitz, H. Fung, S. Kim, M. Micovic, IEEE Electron Dev. Lett., 36 (6), 549 (2015). DOI: 10.1109/LED.2015.2421311
- S. Rahman, N.A. Farhana Othman, S.W. Muhamad Hatta, N. Soin, ECS J. Solid State Sci. Technol., 6 (12), 805 (2017). DOI: 10.1149/2.0131712jss
- S. Bajaj, Z. Yang, F. Akyol, P.S. Park, Y. Zhang, A.L. Price, S. Krishnamoorthy, D.J. Meyer, S. Rajan, IEEE Trans. Electron Dev., 64 (8), 3114 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2713784
- M.G. Ancona, J.P. Calame, D.J. Meyer, S. Rajan, B.P. Downey, IEEE Trans. Electron Dev., 66 (5), 2151 (2019). DOI: 10.1109/TED.2019.2904005
- T.R. Lenka, A.K. Panda, Semiconductors, 45 (5), 650 (2011). DOI: 10.1134/S1063782611050198
- B.E. Foutz, S.K. O'Leary, M.S. Shur, L.F. Eastman, J. Appl. Phys., 85 (11), 7727 (1999). DOI: 10.1063/1.370577
- А.Б. Пашковский, В.М. Лукашин, Я.Б. Мартынов, В.Г. Лапин, А.А. Капралова, И.А. Анисимов, Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, В. 4, 5 (2014)
- А.Б. Пашковский, С.И. Новиков, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, Я.Б. Мартынов, Письма в ЖТФ, 44 (17), 103 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.17.46577.17372 [A.B. Pashkovskii, S.I. Novikov, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, Ya.B. Martynov, Tech. Phys. Lett., 44 (9), 804 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018090092]
- M. Shur, Electron. Lett., 12 (23), 615 (1976)
- R. Sakamoto, K. Akai, M. Inoue, IEEE Trans. Electron Dev., 36 (10), 2344 (1989)
- А.А. Кальфа, А.Б. Пашковский, ФТП, 24 (3), 521 (1990)
- Н.З. Вагидов, З.С. Грибников, В.М. Иващенко, ФТП, 23 (2), 304 (1989)
- Н.З. Вагидов, З.С. Грибников, В.М. Иващенко, ФТП, 24 (6), 1087 (1990)
- В.Б. Горфинкель, С.Г. Шофман, ФТП, 22 (5), 793 (1988)
- А.Б. Пашковский, С.А. Богданов, Письма в ЖТФ, 45 (20), 11 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48385.17925 [A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, Tech. Phys. Lett., 45 (10), 1020 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019100286]
- D.Yu. Protasov, K.S. Zhuravlev, Solid-State Electron., 29, 66 (2017). DOI: 10.1016/j.sse.2016.12.013
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
