Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 24 » Статья стр. 46
<<<>>>
Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2021.24.51800.19014
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.15.55285.19014
Российский научный фонд, 21-72-30020
Бабичев А.В. 1, Гладышев А.Г. 2, Денисов Д.В.3, Дюделев В.В. 1, Михайлов Д.А.1, Слипченко С.О. 1, Лютецкий А.В.1, Карачинский Л.Я. 1,2,4, Новиков И.И. 1,2,4, Андреев А.Ю. 5, Яроцкая И.В. 5, Подгаецкий К.А.5, Мармалюк А.А.5, Падалица А.А.5, Ладугин М.А. 5, Пихтин Н.А. 1, Соколовский Г.С. 1, Егоров А.Ю. 4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
5"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: andandyu@mail.ru, i.yarotskaya@mail.ru, a.babichev@mail.ioffe.ru, maximladugin@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 23 сентября 2021 г.
Принята к печати: 24 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.
PDF версия
Показана возможность создания гетероструктур квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 μm методом молекулярно-пучковой эпитаксии с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Активная область лазера была сформирована на основе гетеропары твердых растворов In0.67Ga0.33As/In0.36Al0.64As. Слои фосфида индия выполняли функцию обкладок волновода. Результаты исследования карт поверхностных дефектов гетероструктур квантово-каскадных лазеров, рентгеноструктурного анализа позволяют сделать вывод о высоком структурном качестве гетероструктур и низкой оценочной величине среднеквадратичной поверхностной шероховатости, не превышающей 0.7 nm. Лазеры с четырьмя сколотыми гранями демонстрируют генерацию при комнатной температуре с относительно низкой плотностью порогового тока порядка 1 kA/cm2. Ключевые слова: сверхрешетки, квантово-каскадный лазер, эпитаксия, фосфид индия.
  1. Q. Lu, S. Slivken, D. Wu, M. Razeghi, Opt. Express, 28 (10), 15181 (2020). DOI: 10.1364/oe.393069
  2. M. Suttinger, R. Kaspi, A. Lyakh, in Mid-infrared optoelectronics, ed. by E. Tournie, L. Cerutti (Woodhead Publ., Sawston, UK, 2020), p. 181--205. DOI: 10.1016/b978-0-08-102709-7.00005-x
  3. P. Figueiredo, M. Suttinger, R. Go, E. Tsvid, C.K.N. Patel, A. Lyakh, Appl. Opt., 56 (31), H15 (2017). DOI: 10.1364/ao.56.000h15
  4. A. Lyakh, M. Suttinger, R. Go, P. Figueiredo, A. Todi, Appl. Phys. Lett., 109 (12), 121109 (2016). DOI: 10.1063/1.4963233
  5. R. Maulini, A. Lyakh, A. Tsekoun, C.K.N. Patel, Opt. Express, 19 (18), 17203 (2011). DOI: 10.1364/oe.19.017203
  6. F. Kapsalidis, M. Shahmohammadi, M.J. Suess, J.M. Wolf, E. Gini, M. Beck, M. Hundt, B. Tuzson, L. Emmenegger, J. Faist, Appl. Phys. B, 124 (6), 107 (2018). DOI: 10.1007/s00340-018-6973-2
  7. L. Consolino, S. Jung, A. Campa, M. De Regis, S. Pal, J.H. Kim, K. Fujita, A. Ito, M. Hitaka, S. Bartalini, P. De Natale, M.A. Belkin, M.S. Vitiello, Sci. Adv., 3 (9), e1603317 (2017). DOI: 10.1126/sciadv.1603317
  8. А.В. Бабичев, В.В. Дюделев, А.Г. Гладышев, Д.А. Михайлов, А.С. Курочкин, Е.С. Колодезный, В.Е. Бугров, В.Н. Неведомский, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Д.В. Денисов, А.С. Ионов, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.С. Соколовский, А.Ю. Егоров, Письма в ЖТФ, 45 (14), 48 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.14.48025.17824 [A.V. Babichev, V.V. Dudelev, A.G. Gladyshev, D.A. Mikhailov, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, V.E. Bougrov, V.N. Nevedomskiy, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, A.S. Ionov, S.O. Slipchenko, A.V. Lutetskiy, N.A. Pikhtin, G.S. Sokolovskii, A.Yu. Egorov, Tech. Phys. Lett., 45 (7), 735 (2019). DOI: 10.1134/s1063785019070174]
  9. А.В. Бабичев, А.Г. Гладышев, А.С. Курочкин, В.В. Дюделев, Е.С. Колодезный, Г.С. Соколовский, В.Е. Бугров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Д.В. Денисов, А.С. Ионов, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, А.Ю. Егоров, Письма в ЖТФ, 45 (8), 31 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.08.47618.17716 [A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, A.S. Kurochkin, V.V. Dudelev, E.S. Kolodeznyi, G.S. Sokolovskii, V.E. Bugrov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, A.S. Ionov, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, N.A. Pikhtin, A.Yu. Egorov, Tech. Phys. Lett., 45 (4), 398 (2019). DOI: 10.1134/s1063785019040205]
  10. А.В. Бабичев, А.Г. Гладышев, В.В. Дюделев, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Д.В. Денисов, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.С. Соколовский, А.Ю. Егоров, Письма в ЖТФ, 46 (9), 35 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.09.49371.18243 [A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, V.V. Dudelev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, S.O. Slipchenko, A.V. Lyutetskii, N.A. Pikhtin, G.S. Sokolovskii, A.Yu. Egorov, Tech. Phys. Lett., 46 (5), 442 (2020). DOI: 10.1134/s1063785020050028]
  11. А.Ю. Егоров, А.В. Бабичев, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Е.В. Никитина, М. Tchernycheva, А.Н. Софронов, Д.А. Фирсов, Л.Е. Воробьев, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, ФТП, 49 (11), 1574 (2015). [A.Yu. Egorov, A.V. Babichev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, E.V. Nikitina, M. Tchernycheva, A.N. Sofronov, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, Semiconductors, 49 (11), 1527 (2015). DOI: 10.1134/s1063785020050028]
  12. A. Steinbach, A. Belyaev, B. Pinto, D. Chen, S. Radovanovic, G. Neskovic, H. Yeh, A. Wang, J. Cao, J. Reich, D. Kavaldjiev, P. Dighe, R. Bammi, L. Vintro, D. Bloom, in Be market ready, ed. by U. Subramaniam. Yield management solutions (KLA-Tencor Corporation, San Jose, California, 2006), p. 64-67. Доступно онлайн: https://www.ymsmagazine.com/wp-content/uploads/summer06.pdf\#page=64 (дата обращения 03.09.2021)
  13. В.В. Дюделев, Д.А. Михайлов, А.В. Бабичев, С.Н. Лосев, Е.А. Когновицкая, А.В. Лютецкий, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, А.Г. Гладышев, Д.В. Денисов, И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, В.И. Кучинский, А.Ю. Егоров, Г.С. Соколовский, Квантовая электроника, 50 (8), 720 (2020). [V.V. Dudelev, D.A. Mikhailov, A.V. Babichev, S.N. Losev, E.A. Kognovitskaya, A.V. Lyutetskii, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, V.I. Kuchinskii, A.Yu. Egorov, G.S. Sokolovskii, Quantum Electron., 50 (8), 720 (2020). DOI: 10.1070/qel17332]
  14. В.В. Дюделев, Д.А. Михайлов, А.В. Бабичев, Г.М. Савченко, С.Н. Лосев, Е.А. Когновицкая, А.В. Лютецкий, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, А.Г. Гладышев, Д.В. Денисов, И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, В.И. Кучинский, А.Ю. Егоров, Г.С. Соколовский, Квантовая электроника, 50 (11), 989 (2020). [V.V. Dudelev, D.A. Mikhailov, A.V. Babichev, G.M. Savchenko, S.N. Losev, E.A. Kognovitskaya, A.V. Lyutetskii, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, V.I. Kuchinskii, A.Yu. Egorov, G.S. Sokolovskii, Quantum Electron., 50 (11), 989 (2020). DOI: 10.1070/qel17396].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme