Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние условий формирования пленок In2O3-SnO2 методом магнетронного распыления на время жизни носителей заряда в кремнии
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.15.54271.18945 
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Министерства науки и высшего образования РФ в рамках базовой части государственного задания, Государственное задание, 0791-2020-0004
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: kudryashovda@spbau.ru
Поступила в редакцию: 1 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 1 сентября 2021 г.
Принята к печати: 16 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.
Показано критическое влияние скорости формирования пленок оксида индия-олова на степень деградации интерфейса a-Si : H/c-Si в процессе магнетронного распыления. Обнаружено, что при расстоянии между магнетроном и образцом 10 cm происходит снижение времени жизни носителей заряда в кремнии с ~ 2 ms до 10 μs, в то время как при уменьшении данного расстоянии до 7 cm за счет уменьшения времени осаждения в 2 раза наблюдается снижение с 1.5 ms до 450 μs. Ключевые слова: кремний, плазменное осаждение, тонкие пленки, пассивация, оксид индия-олова, солнечные элементы.
- K. Yoshikawa, H. Kawasaki, W. Yoshida, T. Irie, K. Konishi, K. Nakano, T. Uto, D. Adachi, M. Kanematsu, H. Uzu, K. Yamamoto, Nature Energy, 2, 17032 (2017). DOI: 10.1038/nenergy.2017.32
- S. Jafari, J. Steffens, M. Wendt, B. Terheiden, S. Meyer, D. Lausch, Phys. Status Solidi B, 257, 2000097 (2020). DOI: 10.1002/pssb.202000097
- K. Ellmer, T. Welzel, J. Mater. Res., 27, 765 (2012). DOI: 10.1557/jmr.2011.428
- A. Morales-Vilches, C. Voz, M. Colina, G. Lopez, I. Marti n, P. Ortega, A. Orpella, R. Alcubilla, Energy Procedia, 44, 3 (2014). DOI: 10.1016/j.egypro.2013.12.002
- B. Demaurex, S. De Wolf, A. Descoeudres, Z.-Ch. Holman, C. Ballif, Appl. Phys. Lett., 101, 171604 (2012). DOI: 10.1063/1.4764529
- B.-M. Meiners, D. Borchert, S. Hohage, S. Holinksi, P. Schafer, Phys. Status Solidi A, 212, 1817 (2015). DOI: 10.1002/pssa.201431923
- D. Kudryashov, A. Gudovskikh, A. Baranov, I. Morozov, A. Monastyrenko, Phys. Status Solidi A, 217, 1900534 (2020). DOI: 10.1002/pssa.201900534
- Д.А. Кудряшов, А.А. Максимова, Е.А. Вячеславова, А.В. Уваров, И.А. Морозов, А.И. Баранов, А.О. Монастыренко, А.С. Гудовских, ФТП, 55 (4), 360 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50741.9561 [D.A. Kudriashov, A.A. Maksimova, E.A. Vyacheslavova, A.V. Uvarov, I.A. Morozov, A.I. Baranov, A.O. Monastyrenko, A.S. Gudovskikh, Semiconductors, 55 (4), 475 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621040072]
- D. Kudryashov, A. Gudovskikh, K. Zelentsov, J. Phys.: Conf. Ser., 461, 012021 (2013). DOI: 10.1088/1742-6596/461/1/012021
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
