"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Локализация носителей заряда в самоорганизованных квантовых точках InAs
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), аспиранты, 19-32-90116
Косарев А.Н.1,2, Чалдышев В.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: kosarev@mail.ioffe.ru, chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 7 сентября 2021 г.
Принята к печати: 8 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 3 октября 2021 г.

Рассмотрена проблема локализации электронов и дырок на примере пирамидальных квантовых точек InAs в арсениде галлия. Задача квантовой механики решена для локализующего потенциала с учетом геометрии, химического состава и встроенных полей механических напряжений и деформаций. Установлено, что наилучшая локализация носителей обоих типов достигается при отношении высоты пирамиды к ее основанию около 0.2. Ключевые слова: квантовые точки, упругие деформации, локализация носителей заряда.
  1. Ж.И. Алферов, ФТП, 32 (1), 3 (1998). [Zh.I. Alferov, Semiconductors, 32 (1), 1 (1998). DOI: 10.1134/1.1187350]
  2. M. Bayer, Ann. Phys. (Berlin), 531, 1900039 (2019). DOI: 10.1002/andp.201900039
  3. I.N. Stranski, L. Krastanow, Abhandlungen der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Klasse IIb. Akad. Wiss. (Wien), 146, 797 (1938)
  4. S. Adachi, Physical properties of III-V semiconductor compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP (John Wiley \& Sons, N.Y., 1992)
  5. K.E. Sautter, K.D. Vallejo, P.J. Simmonds, J. Appl. Phys., 128, 031101 (2020). DOI: 10.1063/5.0012066
  6. S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Gosele, J. Heydenreich, U. Richter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, Phys. Rev. B, 51, 14766 (1995). DOI: 10.1103/PhysRevB.51.14766
  7. В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, ФТП, 43 (12), 1662 (2009). [V.N. Nevedomskii, N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, Semiconductors, 43 (12), 1617 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609120082]
  8. N. Cherkashin, S. Reboh, M.J. Hytch, A. Claverie, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, V.V. Chaldyshev, Appl. Phys. Lett., 102, 173115 (2013). DOI: 10.1063/1.4804380
  9. I. Daruka, J. Tersoff, A.-L. Barabasi, Phys. Rev. Lett., 82, 2753 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevLett.82.2753
  10. P. Kratzer, Q.K.K. Liu, P. Acosta-Diaz, C. Manzano, G. Costantini, R. Songmuang, A. Rastelli, O.G. Schmidt, K. Kern, Phys. Rev. B, 73, 205347 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.73.205347
  11. A. Kosarev, V.V. Chaldyshev, Appl. Phys. Lett., 117, 202103 (2020). DOI: 10.1063/5.0032110
  12. O. Stier, M. Grundmann, D. Bimberg, Phys. Rev. B, 59, 5688 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevB.59.5688
  13. J.D. Eshelby, Proc. R. Soc. Lond. A, 241, 376 (1957). DOI: 10.1098/rspa.1957.0133
  14. J.D. Eshelby, Proc. R. Soc. Lond. A, 252, 561 (1959). DOI: 10.1098/rspa.1959.0173
  15. Н.А. Берт, А.Л. Колесникова, А.Е. Романов, В.В. Чалдышев, ФТТ, 44 (12), 2139 (2002). [N.A. Bert, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov, V.V. Chaldyshev, Phys. Solid State, 44 (12), 2240 (2002). DOI: 10.1134/1.1529918]
  16. Н.А. Берт, А.Л. Колесникова, В.Н. Неведомский, В.В. Преображенский, М.А. Путято, А.Е. Романов, В.М. Селезнев, Б.Р. Семягин, В.В. Чалдышев, ФТП, 43 (10), 1426 (2009). [N.A. Bert, A.L. Kolesnikova, V.N. Nevedomsky, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, A.E. Romanov, V.M. Seleznev, B.R. Semyagin, V.V. Chaldyshev, Semiconductors, 43 (10), 1387 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609100236]
  17. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov, Phys. Rev. B, 79, 233304 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevB.79.233304

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.