"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние температуры отжига на кинетику процесса алюминий-индуцированной кристаллизации тонких пленок аморфного субоксида кремния
This study was financially supported by the Russian Science Foundation, 19-79-10143
Меркулова И.Е.1,2, Замчий А.О. 1,2, Лунев Н.А.1, Константинов В.О.1, Баранов -=SUP=-1-=/SUP=- Е.А.
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: itpmerkulova@gmail.com, zamchiy@gmail.com, nanochirik9@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 20 июля 2021 г.
Принята к печати: 21 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2021 г.

Исследована кинетика процесса алюминий-индуцированной кристаллизации нестехиометрического оксида кремния a-SiO0.25 для температур отжига 370, 385 и 400oC, в результате которого были получены тонкие пленки поликристаллического кремния. Показано, что для низких температур отжига поверхностная морфология кристаллического материала представлена дендрическими структурами, соответствующими модели роста с агрегацией, ограниченной диффузией. Кроме того, с ростом температуры отжига увеличивается плотность зародышеобразования от 3 до 53 mm-2. Из графика Аррениуса впервые получено значение энергии активации процесса алюминий-индуцированной кристаллизации a-SiO0.25, которое составило 3.7± 0.4 eV.
  1. G. Maity, R. Singhal, S. Dubey, S. Ojha, P.K. Kulriya, S. Dhar, T. Som, D. Kanjilal, S.P. Patel, J. Non-Cryst. Solids, 523, 119628 (2019). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2019.119628
  2. T. Nguyen, M. Hiraiwa, T. Koganezawa, S. Yasuno, S.-I. Kuroki, Jpn. J. Appl. Phys., 57, 031302 (2018). DOI: 10.7567/JJAP.57.031302
  3. K. Toko, T. Suemasu, J. Phys. D: Appl. Phys., 53, 373002 (2020). DOI: 10.1088/1361-6463/ab91ec
  4. J. Schneider, J. Klein, M. Muske, S. Gall, W. Fuhs, J. Non-Cryst. Solids, 338, 127 (2004). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2004.02.036
  5. J.H. Yoon, Phys. Status Solidi RRL, 10, 668 (2016). DOI: 10.1002/pssr.201600198
  6. A.O. Zamchiy, E.A. Baranov, I.E. Merkulova, I.V. Korolkov, V.I. Vdovin, A.K. Gutakovskii, V.A. Volodin, Mater. Lett., 293, 129723 (2021). DOI: 10.1016/j.matlet.2021.129723
  7. A.O. Zamchiy, E.A. Baranov, I.E. Merkulova, S.Ya. Khmel, E.A. Maximovskiy, J. Non-Cryst. Solids, 518, 43 (2019). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2019.05.015
  8. A.O. Zamchiy, E.A. Baranov, E.A. Maximovskiy, V.A. Volodin, V.I. Vdovin, A.K. Gutakovskii, I.V. Korolkov, Mater. Lett., 261, 127086 (2020). DOI: 10.1016/j.matlet.2019.127086
  9. W. Duan, F. Meng, J. Bian, J. Yu, L. Zhang, Z. Liu, Appl. Surf. Sci., 327, 37 (2015). DOI: 10.1016/j.apsusc.2014.11.098
  10. R. Numata, T. Kaoru, U. Noritaka, S. Takashi, Thin Solid Films, 557, 147 (2014). DOI: 10.1016/j.tsf.2013.08.044
  11. J. Chen, J. Suwardy, T. Subramani, W. Jevasuwan, T. Takei, K. Toko, T. Suemasu, N. Fukata, CrystEngComm, 19, 2305 (2017). DOI: 10.1039/C6CE02328B
  12. T.A. Witten, Jr., L.M. Sander, Phys. Rev. Lett., 47, 1400 (1981). DOI: 10.1103/PhysRevLett.47.1400
  13. L.M. Sander, Contemp. Phys., 41, 203 (2000). DOI: 10.1080/001075100409698
  14. S. Gall, M. Muske, I. Sieber, O. Nast, W. Fuhs, J. Non-Cryst. Solids, 299, 741 (2002). DOI: 10.1016/S0022-3093(01)01108-5
  15. A.O. Zamchiy, E.A. Baranov, S.Ya. Khmel, V.A. Volodin, V.I. Vdovin, A.K. Gutakovskii, Appl. Phys. A, 124, 646 (2018). DOI: 10.1007/s00339-018-2070-y
  16. C.J. Meechan, J.A. Brinkman, Phys. Rev., 103, 1193 (1956). DOI: 10.1103/PhysRev.103.1193
  17. P.I. Widenborg, A.G. Aberle, J. Cryst. Growth, 242, 270 (2002). DOI: 10.1016/S0022-0248(02)01388-X

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.