"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в i-области
Салий Р.А. 1, Минтаиров М.А. 1, Минтаиров С.А. 1, Нахимович М.В.1, Шварц М.З. 1, Калюжный Н.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: r.saliy@mail.ioffe.ru, Mamint@mail.ioffe.ru, Mintairov@scell.ioffe.ru, NMar@mail.ioffe.ru, shvarts@scell.ioffe.ru, Nickk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 14 июля 2021 г.
Принята к печати: 17 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2021 г.

Исследовано влияние расположения массива квантовых точек In0.8Ga0.2As в i-области фотопреобразователя на его фотогенерированный ток, а также темновые токи насыщения, определяющие рабочее напряжение прибора. Установлено, что фотоэлектрические характеристики зависят от расположения квантовых точек относительно электрического поля p-n-перехода. Смещение массива к границе слаболегированной базы приводит к уменьшению фотогенерированного тока в квантовых точках, но при этом эффект падения напряжения, свойственный наногетероструктурным фотопреобразователям, минимален.
  1. P.K. Nayak, S. Mahesh, H.J. Snaith, D. Cahen, Nature Rev. Mater., 4, 269 (2019). DOI: 10.1038/s41578-019-0097-0
  2. J.C. Algora, I. Rey-Stolle, Handbook of concentrator photovoltaic technology (John Wiley \& Sons, U.K., 2016)
  3. M. Bonnet-Eymard, M. Boccard, G. Bugnon, F. Sculati-Meillaud, M. Despeisse, C. Ballif, Solar Energy Mater. Solar Cells, 117, 120 (2013). DOI: 10.1016/j.solmat.2013.05.046
  4. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov, Electron. Lett., 51 (20), 1602 (2015). DOI: 10.1049/el.2015.2481
  5. N. Lopez, A. Marti, A. Luque, C. Stanley, C. Farmer, P. Diaz, J. Solar Energy Eng., 129, 319 (2007). DOI: 10.1115/1.2735344
  6. N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, R.A. Salii, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, P.N. Brunkov, V.N. Nevedomsky, M.Z. Shvarts, A. Marti, V.M. Andreev, A. Luque, Prog. Photovolt., 24 (9), 1261 (2016). DOI: 10.1002/pip.2789
  7. T. Tayagaki, Y. Hoshi, N. Usami, Sci. Rep., 3, 2703 (2013). DOI: 10.1038/srep02703
  8. С.А. Блохин, А.В. Сахаров, А.М. Надточий, А.С. Паюсов, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.З. Шварц, ФТП, 43 (4), 537 (2009). [S.A. Blokhin, A.V. Sakharov, A.M. Nadtochy, A.S. Pauysov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, N.A. Kaluzhniy, M.Z. Shvarts, Semiconductors, 43 (4), 514 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609040204]
  9. C.G. Bailey, D.V. Forbes, S.J. Polly, Z.S. Bittner, Y. Dai, C. Mackos, R.P. Raffaelle, S.M. Hubbard, IEEE J. Photovolt., 2 (3), 269 (2012). DOI: 10.1109/JPHOTOV.2012.2189047
  10. С.А. Блохин, А.М. Надточий, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, В.М. Емельянов, В.Н. Неведомский, М.З. Шварц, М.В. Максимов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Письма в ЖТФ, 38 (22), 43 (2012). [S.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhny, V.M. Emel'yanov, V.N. Nevedomsky, M.Z. Shvarts, M.V. Maximov, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, Tech. Phys. Lett., 38 (11), 1024 (2012). DOI: 10.1134/S1063785012110193]
  11. S. Chan, D. Kim, A.M. Sanchez, Y. Zhang, M. Tang, J. Wu, H. Liu, IET Optoelectron., 13 (5), 215 (2019). DOI: 10.1049/iet-opt.2018.5069
  12. Р.А. Салий, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, В.Н. Неведомский, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный, ФТП, 54 (10), 1079 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49946.9418 [R.A. Salii, S.A. Mintairov, A.M. Nadtochiy, V.N. Nevedomskii, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy, Semiconductors, 54 (10), 1267 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620100255]
  13. M. Wolf, H. Rauschenbach, Adv. Energy Convers., 3 (2), 455 (1963). DOI: 10.1016/0365-1789(63)90063-8
  14. K. Emery, Handbook of photovoltaic science and engineering, 2nd ed. (John Wiley \& Sons, 2011). p. 797. DOI: 10.1002/9780470974704
  15. S.A. Levina, V.M. Emelyanov, E.D. Filimonov, M.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, Solar Energy Mater. Solar Cells, 213, 110560 (2020). DOI: 10.1016/j.solmat.2020.110560
  16. M.P.C.M Krijn, Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991). DOI: 10.1088/0268-1242/6/1/005
  17. R.A. Salii, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy, J. Phys.: Conf. Ser., 1410, 012099 (2019). DOI: 10.1088/1742-6596/1410/1/012099
  18. R. Stangl, M. Kriegel, M. Schmidt, in 2006 IEEE 4th World Conf. on photovoltaic energy conversion (IEEE, 2006), p. 1350. DOI: 10.1109/WCPEC.2006.279681
  19. W. Shockley, Bell. Syst. Tech. J., 28 (8), 435 (1949). DOI: 10.1002/j.1538-7305.1949.tb03645.x
  20. M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, M.Z. Shvarts, S.A. Mintairov, R.A. Salii, N.A. Kalyuzhnyy, AIP Conf. Proc., 1748, 050003 (2016). DOI: 10.1063/1.4954366

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.