Вышедшие номера
Неравновесные состояния в ВТСП-композитах второго поколения при сверхкритических импульсных токовых воздействиях
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-29-10024
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), "Аспиранты", 20-38-90144
Анищенко И.В. 1, Покровский С.В. 1, Осипов М.А. 1, Абин Д.А. 1, Грицаенко Д.И.1, Руднев И.А. 1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: mephizic@gmail.com, sergeypokrovskii@gmail.com, MAOsipov1@mephi.ru, Dima_abin@mail.ru, karbe@yandex.ru, IARudnev@mephi.ru
Поступила в редакцию: 14 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 22 июня 2021 г.
Принята к печати: 23 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2021 г.

Представлены результаты исследования процессов переключения ВТСП-композитов из сверхпроводящего в резистивное состояние при микросекундных токовых импульсах. Применялось два режима импульсной токовой нагрузки: с амплитудой ~1.1Ic (так называемый "мягкий" режим, Ic - величина критического тока) и с амплитудой ~3Ic ("жесткий" режим). Показана возможность пропускания сверхкритических токов через ленту без деградации характеристик сверхпроводника. Для анализа процессов, происходящих в ленте при протекании тока, была разработана 2D FEA (finite element analyses) модель, при помощи которой проведен расчет динамического сопротивления сверхпроводящего слоя ВТСП-композита и продемонстрированы процессы перераспределения тока между слоями ленты. Ключевые слова: ВТСП-композиты, сверхпроводящий ключ, неравновесные состояния, устойчивое переключение, необратимое переключение.
  1. K. Sawa, M. Suzuki, M. Tomita, M. Murakami, IEEE Trans. Components Packaging Technol., 25, 415 (2002). DOI: 10.1109/TCAPT.2002.804605
  2. D. Park, K. Chang, S. Yang, Y.J. Kim, M. Ahn, Y.-S. Yoon, H. Kim, J.-W. Park, T. Ko, IEEE Trans. Appl. Supercond., 19, 1896 (2009). DOI: 10.1109/TASC.2009.2018069
  3. S.B. Kim, M. Takahashi, R. Saito, Y.J. Park, M.W. Lee, Y.K. Oh, H.S. Ann, Phys. Procedia, 65, 149 (2015). DOI: 10.1016/j.phpro.2015.05.088
  4. S. Lee, V. Petrykin, A. Molodyk, S. Samoilenkov, A. Kaul, A. Vavilov, V. Vysotsky, S. Fetisov, Supercond. Sci. Technol., 27, 044022 (2014). DOI: 10.1088/0953-2048/27/4/044022
  5. I.V. Anischenko, S.V. Pokrovskii, I.A. Rudnev, J. Phys.: Conf. Ser., 1686, 012041 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1686/1/012041
  6. L. Antognazza, M. Decroux, M. Therasse, M. Abplanalp, IEEE Trans. Appl. Supercond., 21, 1213 (2011). DOI: 10.1109/TASC.2010.2100351
  7. N. Riva, S. Richard, F. Sirois, C. Lacroix, B. Dutoit, F. Grilli, IEEE Trans. Appl. Supercond., 29, 6601705 (2019). DOI: 10.1109/TASC.2019.2902038
  8. M.-H. Shi, J. Ma, B-X. Wang, Int. J. Heat Mass Transfer, 36, 4461 (1993). DOI: 10.1016/0017-9310(93)90130-X
  9. С.В. Самойленков, В.И. Щербаков, Д.Р. Кумаров, Д.А. Горбунова, Письма в ЖТФ, 46 (1), 28 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.01.48860.18047
  10. В.В. Зубко, С.С. Фетисов, Кабели и провода, N 1 (369), 3 (2018). https://www.elibrary.ru/item.asp?id=32581263
  11. В.А. Мальгинов, Письма в ЖТФ, 45 (22), 7 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.22.48640.17822
  12. V.M. Rodriguez-Zermeno, N. Mijatovic, C. Traeholt, T. Zirngibl, E. Seiler, A.B. Abrahamsen, N.F. Pedersen, M.P. Sorensen, IEEE Trans. Appl. Supercond., 21, 3273 (2011). DOI: 10.1109/TASC.2010.2091388
  13. A.V. Bobyl, D.V. Shantsev, T.H. Johansen, M. Baziljevich, Y.M. Galperin, M.E. Gaevski, Supercond. Sci. Technol., 13, 183 (2000). DOI: 10.1088/0953-2048/13/2/312
  14. F. Sirois, J. Coulombe, A. Bernier, IEEE Trans. Appl. Supercond., 19, 3585 (2009). DOI: 10.1109/TASC.2009.2018304

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.