Исследованы токовые зависимости мощностных и спектральных характеристик, в том числе их распределение (мэппинг) по излучающей поверхности, AlInGaN-светодиодов "вертикальной" конструкции в широком диапазоне рабочих токов вплоть до ~ 70 А. Установлено, что начиная с определенного уровня возбуждения некорректно использовать представление о средней плотности тока при анализе падения эффективности. Главным фактором снижения внутреннего квантового выхода и коэффициента вывода излучения, ограничивающим энергетические возможности светодиода, становится эффект шнурования ("current crowding") тока к контактам. Ключевые слова: AlInGaN-светодиод, квантовый выход, спектр излучения, ближнее поле излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.