"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства
Министерство образования и науки Российской Федерации, на основе госзадания, 0729-2020-0057
Пузанов А.С. 1, Бибикова В.В.1, Забавичев И.Ю.1, Оболенская Е.С.1, Тарасова Е.А. 1, Востоков Н.В.2, Оболенский С.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: aspuzanov@inbox.ru, zabavichev.rf@gmail.com, elizaveta.obolenskaya@gmail.com, tarasova@rf.unn.ru, obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 2 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 11 декабря 2020 г.
Принята к печати: 16 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 12 января 2021 г.

Проведен теоретический анализ переходных ионизационных процессов, протекающих в низкобарьерном GaAs-диоде Мотта при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства и имитирующих их импульсов лазерного излучения. Реакция диода на воздействие иона As+ с энергией 200 MeV, соответствующей линейной передаче энергии 26 МeV· cm2/mg, сопоставляется с реакцией на действие импульсов оптического излучения различной длительности (10-1000 fs) с энергией квантов, превышающей ширину запрещенной зоны GaAs. Ключевые слова: диод Мотта, тяжелые заряженные частицы космического пространства, фемтосекундный лазер.
  1. А.А. Гриценко, REDS: Телекоммуникационные устройства и системы, 7 (1), 9 (2017)
  2. А.И. Чумаков, А.А. Печенкин, А.Н. Егоров, О.Б. Маврицкий, С.В. Баранов, А.Л. Васильев, А.В. Яненко, Микроэлектроника, 37 (1), 45 (2008). [Пер. версия: 10.1007/s11180-008-1005-2]
  3. А.Н. Егоров, В.А. Телец, А.И. Чумаков, О.Б. Маврицкий, А.А. Печенкин, А.В. Яненко, Д.О. Кольцов, Электроника, 17 (5), 60 (2012)
  4. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин, Микроэлектроника, 26 (1), 57 (1997)
  5. В.Р. Закамов, В.И. Шашкин, Радиотехника и электроника, 56 (8), 1009 (2011). [Пер. версия: 10.1134/S1064226911060234]
  6. C.H. Petzl Lorenz, S. Hemour, K. Wu, IEEE Trans. Microware Theory Techn., 64 (7), 2146 (2016). DOI: 10.1109/TMTT.2016.2574848
  7. S.V. Obolensky, A.V. Murel, N.V. Vostokov, V.I. Shashkin, IEEE Trans. Electron Dev., 58 (8), 2507 (2011). DOI: 10.1109/TED.2011.2156410
  8. Ф.Ф. Комаров, УФН, 187 (5), 465 (2017). DOI: 10.3367/UFNr.2016.10.038012
  9. Н.В. Демарина, С.В. Оболенский, ЖТФ, 72 (1), 66 (2002). [Пер. версия: 10.1134/1.1435891]
  10. А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов, ФТП, 52 (11), 1295 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46586.08 [Пер. версия: 10.1134/S1063782618110209]
  11. Ю.К. Пожела, Физика быстродействующих транзисторов (Мокслас, Вильнюс, 1989), с. 57

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.