Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2021, выпуск 6 » Статья стр. 29
<<<>>>
Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520-540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2021.06.50755.18619
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 20-08-00868 А
Минтаиров С.А.1, Нахимович М.В.1, Салий Р.А.1, Шварц М.З.1, Калюжный Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 8 декабря 2020 г.
Принята к печати: 8 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 12 января 2021 г.
PDF версия
Исследованы фотопреобразователи лазерного излучения для диапазона 520-540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs. Показано, что уменьшение степени упорядочения в слоях GaInP за счет введения атомов сурьмы приводит к коротковолновому сдвигу края поглощения с одновременным увеличением напряжения холостого хода, а увеличение общей толщины фотоактивных слоев фотопреобразователей лазерного излучения выражается в повышении спектральной чувствительности. Проведенная оптимизация позволяет повысить коэффициент полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения с 39.4 до 44.4%. Ключевые слова: фотопреобразователь лазерного излучения, КПД, спектральная чувствительность, напряжение холостого хода, газофазная эпитаксия.
  1. E. Oliva, F. Dimroth, A.W. Bett, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 16, 289 (2008). https://doi.org/10.1002/pip.811
  2. B.П. Хвостиков, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, В.М. Емельянов, Н.Х. Тимошина, В.М. Андреев, ФТП, 50 (9), 1242 (2016). [Пер. версия: 10.1134/S1063782616090128]
  3. M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, S.R. Wenham, IEEE Electron Dev. Lett., 13, 317 (1992). https://doi.org/10.1109/55.145070
  4. N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Emelyanov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nahimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, Solar Energy Mater. Solar Cells, 217, 110710 (2020). http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2020.110710
  5. J. Mukherjee, S. Jarvis, M. Perren, S.J. Sweeney, J. Phys. D, 46, 264006 (2013). https://doi.org/10.1088/0022-3727/46/26/264006
  6. V. Andreev, V. Khvostikov, V. Kalinovsky, V. Lantratov, V. Grilikhes, V. Rumyantsev, M. Shvarts, V. Fokanov, A. Pavlov, in Proc. 3rd World Conf. on photovoltaic energy conversion (Tokyo, 2003), vol. A, p. 761
  7. R. Jomen, F. Tanaka, T. Akiba, M. Ikeda, K. Kiryu, M. Matsushita, H. Maenaka, S. Lu, S. Uchida, Jpn. J. Appl. Phys., 57, 08RD12 (2018). https://doi.org/10.7567/JJAP.57.08RD12
  8. A. Gomyo, T. Suzuki, S. Kawata, I. Hino, T. Yuasa, Appl. Phys. Lett., 50, 673 (1987). https://doi.org/10.1063/1.98062
  9. A. Mascarenhas, S. Kurtz, A. Kibbler, J.M. Olson, Phys. Rev. Lett., 63, 2108 (1989). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.63.2108
  10. S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, A.E. Zhukov, Semicond. Sci. Technol., 32, 015006 (2017). https://doi.org/10.1088/1361-6641/32/1/015006

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme