Вышедшие номера
Роль кулоновского взаимодействия в дефектной модели барьера Шоттки
Давыдов С.Ю.1, Посредник О.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 23 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 21 ноября 2020 г.
Принята к печати: 22 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 3 января 2021 г.

Предложена модель барьера Шоттки, в которой на интерфейсе присутствуют димеры, состоящие из полупроводниковых дефектов и ближайших к ним атомов металла. Между электронами дефектов и металлических атомов включено короткодействующее кулоновское отталкивание. Получены аналитические выражения для чисел заполнения атомов и дефектов и высоты барьера Шоттки. Ключевые слова: интерфейсный полупроводниковый дефект, интерфейсный атом металла, кулоновское отталкивание, числа заполнения.
  1. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн, Поверхности и границы раздела полупроводников (Мир, М., 1990), гл. 4
  2. W. Monch, Rep. Prog. Phys., 53 (3), 221 (1990). DOI: 10.1088/0034-4885/53/3/001
  3. R.T. Tung, Appl. Phys. Rev., 1 (1), 011304 (2014). DOI: 10.1063/1.4858400
  4. И.В. Антонова, ФТП, 50 (1), 67 (2016). [Пер. версия: 10.1134/S106378261601005X0]
  5. I. Shtepliuk, J. Eriksson, V. Khranovskyy, T. Iakimov, A.I. Spetz, R. Yakimova, Beilstein J. Nanotechnol, 7, 1800 (2016). DOI: 10.3762/bjnano.7.173
  6. H.-M. Chang, K.-L. Fan, A. Charnas, P.D. Ye, Y.-M. Lin, C.-I Wu, C.-H. Wu, J. Phys. D: Appl. Phys., 51 (13), 135306 (2018). DOI: 10.1088/1361-6463/aab063
  7. G.-S. Kim, S.-H. Kim, J. Park, K.H. Han, J. Kim, H.-Y. Yu, ACS Nano, 12 (6), 6292 (2018). DOI: 10.1021/acsnano.8b03331
  8. S. Wang, J.-P. Chou, C. Ren, H. Tian, J. Yu, C. Sun, Y. Xu, M. Sun, Sci. Rep., 9, 5208 (2019). DOI: 10.1039/C9CP07009E
  9. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров, ФТП, 35 (12), 1437 (2001). [Пер. версия: 10.1134/1.1427974]
  10. С.Ю. Давыдов, ФТТ, 46 (12), 2135 (2004). [Пер. версия: 10.1134/1.1841381]
  11. R. Ludeke, G. Jezequel, A. Taleb-Ibrahimi, Phys. Rev. Lett., 61 (5), 601 (1988). DOI: 10.1103/PhysRevLett.61.601
  12. R. Ludeke, Phys. Rev. B., 40 (3), 1947 (1989). DOI: 10.1103/PhysRevB.40.1947
  13. С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин, ФТТ, 49 (8), 1508 (2007). [Пер. версия: 10.1134/S1063783407080318]
  14. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Элементарное введение в теорию наносистем (Лань, СПб., 2014), гл. 8 и 9. 8.89 DOI: https://lanbook.fdo.tusur.ru/book/44757?category=43738
  15. А.А. Лебедев, ФТП, 33 (7), 769 (1999). [Пер. версия: 10.1134/1.1187764]
  16. А.И. Гусев, УФН, 184 (9), 905 (2014). DOI: 10.3367/UFNr.0184.201409a.0905
  17. J.K. Freericks, V. Zlatic, Rev. Mod. Phys., 75 (4), 1333 (2003). DOI: 10.1103/RevModPhys.75.1333
  18. В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин, Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах (УрО РАН, Екатеринбург, 2004), гл. 2. DOI: https://www.rfbr.ru/rffi/ru/books/o\_71426
  19. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (Энергоатомиздат, М., 1991)
  20. Ч. Киттель, Квантовая теория твердых тел (Наука, М., 1967), гл. 18. DOI: https://ikfia.ysn.ru/wp-content/uploads/ 2018/01/Kittel1967ru.pdf

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.