"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов
Переводная версия: 10.1134/S1063785020120275
Шмидт Н.М.1, Шабунина Е.И.1, Черняков А.Е.2, Иванов А.Е.2, Тальнишних Н.А.2, Закгейм А.Л.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: natalia.shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 17 сентября 2020 г.
Принята к печати: 17 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 15 октября 2020 г.

Температурное падение внешней квантовой эффективности синих InGaN/GaN-светодиодов в максимуме при j<10 A/cm2, усиливающееся с ростом температуры до 400 K, вызвано возрастанием потерь на безызлучательную рекомбинацию при туннелировании носителей заряда с участием ловушек и фононов. С открытием p-n-перехода при j>40 A/cm2 падение внешней квантовой эффективности в непрерывном и импульсном режимах определяется потерями при неравновесном заполнении делокализованными носителями состояний, связанных с латеральными неоднородностями состава твердого раствора в квантовых ямах вне области объемного заряда, а также потерями на взаимодействие делокализованных носителей с протяженными дефектами. Ключевые слова: InGaN/GaN-светодиоды, наноструктуры, падение внешней квантовой эффективности.
  1. De Santi C., Meneghini M., La Grassa M., Galler B., Zeisel R., Goano M., Dominici S., Mandurrino M., Bertazzi F., Robidas D., Meneghesso G., Zanoni E. // J. Appl. Phys. 2016. V. 119. P. 094501
  2. Hopkins M.A., Allsopp D.W.E., Kappers M.J., Oliver R.A., Humphreys C.J. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. P. 234505
  3. Titkov I.E., Karpov S.Yu., Yadav A., Zerova V.L., Zulonas M., Galler B., Strassburg M., Pietzonka I., Lugauer H-J., Rafailov E.U. // IEEE J. Quant. Electron. 2014. V. 50. P. 911--920
  4. Tian P., McKendry J.J.D., Herrnsdorf J., Watson S., Ferreira R., Watson I.M., Gu E., Kelly A.E., Dawson M.D. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. P. 171107
  5. Mandurrino M., Goano M., Dominici S., Vallone M., Bertazzi F., Ghione G., Bernabei M., Rovati L., Verzellesi G., Meneghini M., Meneghesso G., Zanoni E. // Proc. SPIE. 2015. V. 9571. P. 95710U
  6. Петров В.Н., Сидоров В.Г., Тальнишних Н.А., Черняков А.Е., Шабунина Е.И., Шмидт Н.М., Усиков А.С., Helava H., Макаров Ю.Н. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 9. С. 1195--1201
  7. Mandurrino M., Goano M., Vallone M., Bertazzi F., Ghione G., Verzellesi G., Meneghini M., Meneghesso G., Zanoni E. // J. Comput. Electron. 2015. V. 14. P. 444--455
  8. Бер Б.Я., Богданова Е.В., Грешнов А.А., Закгейм А.Л., Казанцев Д.Ю., Карташова А.П., Павлюченко А.С., Черняков А.Е., Шабунина Е.И., Шмидт Н.М., Якимов Е.Б. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 3. С. 425--432
  9. Бадгутдинов М.Л., Юнович А.Э. // ФТП. 2008. Т. 42. В. 4. С. 438--446
  10. Aleksiejunas R., Nomeika K., Miasojedovas S., Nargelas S., Malinauskas T., Jaravsiunas K., Tuna O., Heuken M. // Phys. Status Solidi B. 2015. V. 252. P. 977--982

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.