"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Катодолюминесценция пленок ZnO на ромбоэдрической плоскости сапфира с буферным слоем золота
Переводная версия: 10.1134/S1063785020120251
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 18-29-12099мк
Муслимов А.Э.1, Тарасов А.П. 2,3, Исмаилов А.М. 4, Каневский В.М.1
1Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и Фотоника" Российской академии наук, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
3Московский областной научно-исследовательский клинический институт им. М.Ф. Владимирского, Москва, Россия
4Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
Email: amuslimov@mail.ru, tarasov.ap@phystech.edu, egdada@mail.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 8 июля 2020 г.
Принята к печати: 12 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 15 октября 2020 г.

Исследованы люминесцентные свойства пленок ZnO на ромбоэдрической плоскости сапфира с буферным слоем наноостровков золота. В спектре люминесценции обнаружен набор осцилляций, являющийся следствием классической интерференции на тонкой пленке. Набор осцилляций может быть представлен в виде штрихкода, в котором каждый штрих соответствует длине волны заданной осцилляции, а толщина штриха - ее интенсивности. Высокая воспроизводимость и простота изготовления подобных тонкопленочных структур на основе ZnO с учетом чувствительности интерференционных явлений на таких структурах к внешней среде создают перспективы их применения в качестве элементов различных хемо- и биосенсоров. Ключевые слова: ZnO, сапфир, золото, интерференция, люминесценция.
  1. Krishnakumar T., Jayaprakash R., Pinna N., Singh V.N., Mehta B.R., Phani A.R. // Mater. Lett. 2009. V. 63. N 2. P. 242--245
  2. Padmavathy N., Vijayaraghavan R. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2008. V. 9. N 3. P. 035004
  3. Darroudi M., Sabouri Z., Oskuee R.K., Khorsand Zak A., Kargar H., Abd Hamid M.H.N. // Ceram. Int. 2014. V. 40. N 3. P. 4827--4831
  4. Huang Z., Zheng X., Yan D., Yin G., Liao X., Kang Y., Yao Y., Huang D., Hao B. // Langmuir. 2008. V. 24. N 8. P. 4140--4144
  5. Santos A., Balderrama V.S., Alba M., Formenti n P., Ferre-Borrull J., Pallares J., Marsal L.F. // Adv. Mater. 2012. V. 24. N 8. P. 1050--1054
  6. Муслимов А.Э., Исмаилов А.М., Бабаев В.А., Каневский В.М. // Кристаллография. 2019. Т. 64. N 5. С. 790--795
  7. Муслимов А.Э., Исмаилов А.М., Бабаев В.А., Каневский В.М. // Поверхность. 2019. N 12. С. 61--65
  8. Podlogar M., Richardson J.J., Vengust D., Daneu N., Samardvzija Z., Bernik S., Revcnik A. // Adv. Funct. Mater. 2012. V. 22. N 15. P. 3136--3145
  9. Власов В.П., Буташин А.В., Каневский В.М., Муслимов А.Э., Ли Л.Е., Ракова Е.В., Бабаев В.А., Исмаилов А.М. // Кристаллография. 2014. Т. 59. N 5. С. 806--808
  10. Ушаков Н.М., Васильков М.Ю., Федоров Ф.С. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 14. С. 26--33
  11. Li S.Y., Lee C.Y., Tseng T.Y. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 247. N 3-4. P. 357--362
  12. Varshni Y.P. // Physica. 1967. V. 34. N 1. P. 149--154
  13. Burton H., Debardelaben C., Amir W., Planchon T.A. // Opt. Express. 2017. V. 25. N 6. P. 6954--6962
  14. Drabik J., Cichy B., Marciniak L. // J. Phys. Chem. C. 2018. V. 122. N 26. P. 14928--14936
  15. Liu J., Lee S., Ahn T.H., Park J.Y., Koh K.H., Park K.H. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. N 26. P. 263102
  16. Morkoc H., Ozgur U. Zinc oxide: fundamentals, materials and device technology. John Wiley \& Sons, 2008. 488 p
  17. Wang Y.G., Ohashi N., Ryoken H., Haneda H. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. N 11. P. 114917

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.