"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Выглаживание поверхности антимонида галлия
Переводная версия: 10.1134/S1063785020120123
Левин Р.В.1, Федоров И.В.1, Власов А.С. 1, Брунков П.Н. 1, Пушный Б.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lev@vpegroup.ioffe.ru, kingwash@yandex.ru, vlasov@scell.ioffe.ru, brunkov@mail.ioffe.ru, pushnyi@vpegroup.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 25 августа 2020 г.
Принята к печати: 3 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 30 сентября 2020 г.

Впервые представлены результаты исследования условий получения атомарно-гладкой поверхности подложек GaSb. Экспериментально показано, что можно улучшить качество поверхности образцов, изменяя условия отжига. Наименьшая шероховатость 1.3 nm получена при времени отжига 16 min при температуре 650oC в потоке триметилсурьмы и H2. Ключевые слова: отжиг, подложка, GaSb, шероховатость, атомно-силовой микроскоп, фотолюминесценция.
  1. Razeghi M., Nguyen B.-M. // Rep. Prog. Phys. 2014. V. 77. P. 082401--082418
  2. Rogalski A., Kopytko M., Martyniuk P. // Proc. SPIE. 2017. V. 10177. P. 1017715
  3. Li X., Zhao Y., Wu Q., Teng Y., Hao X., Huang Y. // J. Cryst. Growth. 2018. V. 502. P. 71--75
  4. Васев А.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. // Вестн. НГУ. Сер.: Физика. 2008. Т. 3. N 4. С. 9--19
  5. Протасов Д.Ю., Малин Т.В., Тихонов А.В., Цацульников А.Ф., Журавлев К.С. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 1. С. 36--47
  6. www.brukerafmprobes.com
  7. Optoelectronic properties of semiconductors and superlattices. V. 3. Antimonide-related strained-layer heterostructures / Ed. M.O. Manasreh. 1st ed. CRC Press, 1997. 501 p
  8. Левин Р.В., Неведомский В.Н., Баженов Н.Л., Зегря Г.Г., Пушный Б.В., Мизеров М.Н. // ФТП. 2019. Т. 53. В. 2. С. 273--276

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.