Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 22 » Статья стр. 27
<<<>>>
Влияние параметров короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs на эффективность фотолюминесценции
DOI: 10.21883/PJTF.2020.22.50304.18421
Переводная версия: 10.1134/S1063785020110267
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , research project no. 2019-1442
Рочас С.С. 1, Новиков И.И. 1, Гладышев А.Г. 1, Колодезный Е.С. 1, Бабичев А.В. 1, Андрюшкин В.В. 1, Неведомский В.Н. 2, Денисов Д.В.3, Карачинский Л.Я. 1, Егоров А.Ю. 4, Бугров В.Е. 1
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Email: stanislav_rochas@itmo.ru
Поступила в редакцию: 11 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 23 июля 2020 г.
Принята к печати: 4 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 15 сентября 2020 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования гетероструктур на основе короткопериодных сверхрешеток InGaAs/InGaAlAs, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP и предназначенных для использования в качестве активных областей для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.3 μm. Проведены исследования изготовленных гетероструктур методами фотолюминесценции и рентгеновской дифракции. Показано, что изменение отношения толщины квантовой ямы и барьерного слоя сверхрешетки позволяет управляемо смещать положение пика фотолюминесценции для достижения лазерной генерации на длине волны 1.3 μm, при этом эффективность фотолюминесценции практически не меняется. Ключевые слова: вертикально-излучающий лазер, активная область, сверхрешетка, квантовая яма, молекулярно-пучковая эпитаксия.
  1. Megalini L., Bonef B., Cabinian B.C., Zhao H., Taylor A., Speck J.S., Bowers J.E., Klamkin J. // Appl. Phys. Lett. 2017. V. 111. N 3. P. 032105. DOI: 10.1063/1.4994318
  2. Kim S.M., Wang Y., Keever M., Harris J.S. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2004. V. 16. N 2. P. 377--379. DOI: 10.1109/LPT.2003.823088
  3. Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Денисов Д.В., Воропаев К.O., Ионов А.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю. // Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 127. В. 6. С. 963--966. DOI: 10.21883/OS.2019.12.48693.124-19
  4. Renk K.F. Quantum cascade laser // Basics of laser physics. Cham: Springer, 2017. P. 545--551. DOI: 10.1007/978-3-319-50651-7\_29
  5. Babichev A.V., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M.A., Ledentsov N.N., Egorov A.Yu. // IEEE J. Quant. Electron. 2017. V. 53. N 6. P. 1--8. DOI: 10.1109/JQE.2017.2752700
  6. Syrbu A., Mircea A., Mereuta A., Caliman A., Berseth C.-A., Suruceanu G., Iakovlev V., Achtenhagen M., Rudra A., Kapon E. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2004. V. 16. N 5. P. 1230--1232. DOI: 10.1109/LPT.2004.826099
  7. Piprek J., Mehta M., Jayaraman V. Design and optimization of high-performance 1.3-μm VCSELs // Physics and simulation of optoelectronic devices XII. 2004. V. 5349. P. 375--384. DOI: 10.1117/12.543062

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme