Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 19 » Статья стр. 32
<<<>>>
Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO2
DOI: 10.21883/PJTF.2020.19.50042.18368
Переводная версия: 10.1134/S1063785020100144
Ташмухамедова Д.А.1, Юсупжанова М.Б.1, Аллаярова Г.Х.1, Умирзаков Б.Е.1
1Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан
Email: ftmet@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 мая 2020 г.
В окончательной редакции: 3 июля 2020 г.
Принята к печати: 3 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2020 г.
PDF версия
Методом бомбардировки ионами Ar+ с последующим отжигом на различных глубинах оксида кремния получены нанофазы и нанослои Si. При изменении энергии ионов E0 от 10 до 25 keV средняя глубина образования нанофаз Si меняется в пределах от 15 до 25 nm. Показано, что при изменении размеров нанофаз Si от ~ 10 до 25 nm ширина запрещенной зоны Eg уменьшается от 1.9 до 1.5 eV. Для нанослоев Si Eg составляет ~ 1.1-1.2 eV. Ключевые слова: гетероструктура, ионная бомбардировка, нанослой, поглощение света, степень покрытия.
  1. Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Европейцев Е.А. // ФТТ. 2011. Т. 53. В. 12. С. 2294--2298. http://journals.ioffe.ru/articles/1645
  2. Громов Д.Г., Пятилова О.В., Буляроский С.В., Белов А.Н., Раскин А.А. // ФТТ. 2013. Т. 55. В. 3. С. 562--566. http://journals.ioffe.ru/articles/973
  3. Hoppe K., Fahrner W.R., Fink D., Dhamodoran S., Petrov A., Chandra A., Saad A., Faupel F., Chakravadhanula V.S.K., Zaporotchenko V. // Nucl. Instrum. Meth. B. 2008. V. 266. N 8. P. 1642--1646. https://doi.org/10.1016/j.nimb.2007.12.069
  4. Priolo T., Gregorkiewicz T., Galli M., Krauss T.F. // Nature Nanotechnol. 2014. V. 9. N 1. P. 19--32
  5. Rochet F., Dufour G., Roulet H., Pelloie B., Perriere J., Fogarassy E., Slaoui A., Froment M. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. N 11. P. 6468--6477. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.37.6468
  6. Patrone L., Nelson D., Safarov V.I., Sentis M., Marine W., Giorgio S. // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. N 8. P. 3829--3837. https://doi.org/10.1063/1.372421
  7. Takeoka S., Fujii M., Hayashi S. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. N 24. P. 16820--16825. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.16820
  8. Krishnan R., Xie Q., Kulik J., Wang X.D., Lu S., Molinari M., Gao Y., Krauss T.D., Fauchet P.M. // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. N 1. P. 654--660. https://doi.org/10.1063/1.1751632
  9. Takagi H., Ogawa H., Yamazaki Y., Ishizaki A., Nakagiri T. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N 24. P. 2379--2380. https://doi.org/10.1063/1.102921
  10. Ундалов Ю.К., Теруков Е.И. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 7. С. 887--898. http://journals.ioffe.ru/articles/41958
  11. Эргашов Ё.С., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2017. N 4. С. 104--108. DOI: 10.7868/S0207352817040084
  12. Карабешкин К.В., Карасев П.А., Титов А.И. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 8. С. 1009--1015. http://journals.ioffe.ru/articles/43422
  13. Юсупжанова М.Б., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // ЖТФ. 2016. Т. 86. В. 4. С. 148--150. http://journals.ioffe.ru/articles/42980
  14. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Аллаярова Г.Х., Содикжанов Ж.Ш. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 7. С. 49--51. DOI: 10.21883/PJTF.2019.07.47539.17650
  15. Болтаев Х.Х., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2014. N 4. С. 24--29. DOI: 10.7868/S0207352814010107
  16. Lo Savio R., Repetto L., Guida P., Angeli E., Firpo G., Volpe A., Ierardi V., Valbusa U. // Solid State Commun. 2016. V. 240. P. 41--45. https://doi.org/10.1016/j.ssc.2016.04.023
  17. Эргашов Ё.С., Ташмухамедова Д.А., Раббимов Э. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015. N 4. С. 38--43. DOI: 10.7868/S0207352815040083
  18. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Мурадкабилов Д.М., Болтаев Х.Х. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 6. С. 66-70.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme