Вышедшие номера
Порообразование в тонких пленках германия при имплантации ионов Ge+
Переводная версия: 10.1134/S1063785020070196
РНФ, Президентская программа исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 19-79-10216
Лядов Н.М. 1, Гаврилова Т.П. 1, Хантимеров С.М. 1, Базаров В.В. 1, Сулейманов Н.М. 1, Шустов В.А. 1, Нуждин В.И. 1, Янилкин И.В. 2, Гумаров А.И. 2, Файзрахманов И.А. 1, Тагиров Л.Р. 1,2
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
2Институт физики Казанского федерального университета, Казань, Россия
Email: nik061287@mail.ru, tatyana.gavrilova@gmail.com, khantim@mail.ru, bazarov@kfti.knc.ru, amir@gumarov.ru, fiak@kfti.knc.ru, ltagirov@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 16 апреля 2020 г.
Принята к печати: 16 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 17 мая 2020 г.

Представлены результаты исследования морфологии наноструктурированных ионной имплантацией пленок германия. Образцы пленок были выращены с использованием метода магнетронного распыления на сверхвысоковакуумной установке и затем облучены ионами Ge+ с энергией 40 keV в интервале доз (1.8-8)· 1016 ion/cm2. Методом сканирующей электронной микроскопии установлено, что с увеличением дозы имплантации в объеме имплантированного германия постепенно формируются вакансионные комплексы диаметром ~ 50-150 nm, которые при достижении определенной дозы имплантации выходят на поверхность, образуя развитый рельеф облученных пленок. Ключевые слова: наноструктурированный германий, ионная имплантация, литий-ионные аккумуляторы.
  1. Arie A.A., Wonyoung C., Lee J.K. // J. Electroceram. 2010. V. 24. P. 308--312. DOI: 10.1007/s10832-009-9573-z
  2. Wang X.-L., Han W.-Q., Chen H.Y., Bai J.M., Tyson T.A., Yu X.Q., Wang X.J., Yang X.Q. // J. Am. Chem. Soc. 2011. V. 133. P. 20692--20695. DOI: 10.1021/ja208880f
  3. Graetz J., Ahn C.C., Yazami R., Fultz B. // J. Electrochem. Soc. 2004. V. 151. P. 698--702. DOI: 10.1149/1.1697412
  4. Lee G.-H., Kwon S.J., Park K.-S., Kang J.-G., Park J.-G., Lee S., Kim J.-S., Shim H.-W., Kim D.-W. // Sci. Rep. 2015. V. 4. P. 6883. DOI: 10.1038/srep06883
  5. Liu S., Feng J., Bian X., Qian Y., Liu J., Xu H. // Nano Energy. 2015. V 13. P. 651--657. DOI: 10.1016/j.nanoen.2015.03.039
  6. Rudawski N.G., Darby B.L., Yates B.R., Jones K.S., Elliman R.G., Volinsky A.A. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 083111 (1-4). DOI: 10.1063/1.3689781
  7. Romano L., Impellizzeri G., Tomasello M.V., Giannazzo F., Spinella C., Grimaldi M.G. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 084314 (1-5). DOI: 10.1063/1.3372757
  8. Закиров Г.Г., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М. // ФТП. 1983. Т. 17. В. 2. С. 232--234
  9. Базаров В.В., Шустов В.А., Лядов Н.М., Файзрахманов И.А., Янилкин И.В., Хантимеров С.М., Гарипов Р.Р., Фатыхов Р.Р., Сулейманов Н.М., Валеев В.Ф. // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45. В. 20. С. 36--38. DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48392.17949 [Пер. версия: 10.1134/S1063785019100183]
  10. Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The stopping and range of ions in solids. N.Y.: Pergamon, 1985. 321 p
  11. http://www.trim.org

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.