Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 10 » Статья стр. 10
<<<>>>
Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик / In0.52Al0.48As
DOI: 10.21883/PJTF.2020.10.49423.18238
Переводная версия: 10.1134/S1063785020050259
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-32-00548
Ковчавцев А.П.1, Аксенов М.С.1,2, Настовьяк A.Е.1, Валишева Н.А.1, Горшков Д.В.1, Сидоров Г.Ю.1, Дмитриев Д.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: m.se.aksenov@gmail.com
Поступила в редакцию: 10 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 20 февраля 2020 г.
Принята к печати: 20 февраля 2020 г.
Выставление онлайн: 28 марта 2020 г.
PDF версия
Изучены вольт-фарадные характеристики (ВФХ) структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) Au/Al2O3/In0.52Al0.48As и Au/SiO2/In0.52Al0.48As. Установлено, что измерение ВФХ МДП-структур на основе InAlAs фрагментарным способом (в отличие от стандартной методики регистрации при постоянной скорости развертки по напряжению) значительно ослабляет влияние гистерезисных явлений и позволяет записывать стационарные кривые. Показано, что рассчитанная методом Термана из таких ВФХ плотность быстрых интерфейсных состояний слабо изменяется по ширине запрещенной зоны InAlAs и составляет (3-6)· 1011 и (1-3)· 1011 eV-1· cm-2 для МДП-структур с Al2O3 и SiO2 соответственно. Ключевые слова: In0.52Al0.48As, диэлектрик, вольт-фарадная характеристика, плотность интерфейсных состояний.
  1. Takahashi T., Kawano Y., Makiyama K., Shiba S., Sato M., Nakasha Y., Hara N. // IEEE Trans. Electron. Dev. 2017. V. 64. P. 89--95. DOI: 10.1109/TED.2016.2624899
  2. Aksenov M.S., Valisheva N.A., Chistokhin I.B., Dmitriev D.V., Kozhukhov A.S., Zhuravlev K.S. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 114. P. 221602. https://doi.org/10.1063/1.5091598
  3. Li N., Sidhu R., Li X., Ma F., Zheng X., Wang S., Karve G., Demiguel S., Holmes A.L., Jr., Campbell J.C. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 2175--2177. https://doi.org/10.1063/1.1559437
  4. Яковлева Н.И., Болтарь К.О., Седнев М.В., Лопухин А.А., Коротаев Е.Д. // Прикладная физика. 2015. N 1. С. 87--91
  5. Берченко Н.Н., Медведев Ю.В. // Успехи химии. 1994. Т. 63. N 8. С. 655--672. [Пер. версия: https://doi.org/10.1070/RC1994v063n08ABEH000108]
  6. Robertson J. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 152104. https://doi.org/10.1063/1.3120554
  7. Houssa M., Scarrozza M., Pourtois G., Afanas'ev V.V., Stesmans A. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. P. 141901. https://doi.org/10.1063/1.3575559
  8. Kobayashi M., Thareja G., Sun Y., Goel N., Garner M., Tsai W., Pianetta P., Nishi Y. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. P. 142906. https://doi.org/10.1063/1.3379024
  9. Brennan B., Galatage R.V., Thomas K., Pelucchi E., Hurley P.K., Kim J., Hinkle C.L., Vogel E.M., Wallace R.M. // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. P. 104103. https://doi.org/10.1063/1.4821021
  10. He G., Lv H.-H., Hui G., Zh Y.-M., Zh Y.-M., Wu L.-F. // Chin. Phys. B. 2015. V. 24. P. 126701. DOI: 10.1088/1674-1056/24/12/126701
  11. Wu L.-F., Zhang Y.-M., Lv H.-L., Zhang Y.-M. // Chin. Phys. B. 2016. V. 25. P. 108101. DOI: 10.1088/1674-1056/25/10/108101
  12. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / Отв. ред. С.П. Синица. Новосибирск: Наука, 2001. С. 10
  13. Kovchavtsev A.P., Tsarenko A.V., Guzev A.A., Aksenov M.S., Polovinkin V.G., Nastovjak A.E., Valisheva N.A. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. P. 125704. http://dx.doi.org/10.1063/1.4931772
  14. Kovchavtsev A.P., Sidorov G.Y., Nastovjak A.E., Tsarenko A.V., Sabinina I.V., Vasilyev V.V. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. P. 125304. https://doi.org/10.1063/1.4978967
  15. Nakagawa T., Fujisada H. // Appl. Phys. Lett. 1977. V. 31. P. 348--350. https://doi.org/10.1063/1.89695
  16. Terman L.M. // Solid-State Electron. 1962. V. 5. P. 285--299. https://doi.org/10.1016/0038-1101(62)90111-9
  17. Trinh H.-D., Chang E.Y., Wong Y.-Y., Yu C.-C., Chang C.-Y., Lin Y.-C., Nguyen H.-Q., Tran B.-T. // Jpn. J. Appl. Phys. 2010. V. 49. P. 111201. https://doi.org/10.1143/JJAP.49.111201

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme