"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Кинетика роста зародыша из нанофазы
РФФИ, 18-02-40006
РФФИ, 19-52-53031
РФФИ, 20-02-00351
РФФИ, 20-52-16301
Дубровский В.Г.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 января 2020 г.
В окончательной редакции: 14 января 2020 г.
Принята к печати: 16 января 2020 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

Проведен теоретический анализ кинетики роста зародыша из наноразмерной материнской среды с ограниченным запасом материала при наличии эффекта остановки роста, возникающего за счет истощения пересыщения. Такой режим характерен для роста островков нитевидных нанокристаллов GaAs из нанокапли Ga по механизму пар-жидкость-кристалл и наблюдается при in situ диагностике роста внутри просвечивающего электронного микроскопа. Получено аналитическое решение для зависящих от времени размера островка и концентрации частиц в нанофазе. Установлена принципиально новая иерархия временных масштабов, согласно которой весь цикл моноцентрического роста зародыша разбивается на три стадии: быстрый рост зародыша до размера остановки, медленный рост со скоростью поступления материала в нанофазу и накачка нанофазы до первоначального состояния. Сформулирован критерий наличия эффекта остановки роста в зависимости от размера нанофазы. Ключевые слова: зародыш, III-V нитевидный нанокристалл, моноцентрическая нуклеация, кинетика роста.
  1. Schmelzer J.W.P., Abyzov A.S. // J. Chem. Phys. 2011. V. 134. P. 054511
  2. Dubrovskii V.G. // Cryst. Growth Design. 2017. V. 17. P. 2589--2593
  3. Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. P. 89--90
  4. Dubrovskii V.G. Theory of VLS growth of compound semiconductors // Semiconductors and semimetals / Eds A. Fontcuberta i Morral, S.A. Dayeh, C. Jagadish. Burlington: Academic Press, 2015. V. 93. P. 1--78
  5. Colombo C., Spirkoska D., Frimmer M., Abstreiter G., Fontcuberta i Morral A. // Phys. Rev. B. 2008. V. 77. P. 155326
  6. Matteini F., Dubrovskii V.G., Ruffer D., Tutuncuovglu G., Fontana Y., Fontcuberta i Morral A. // Nanotechnology. 2015. V. 26. P. 105603
  7. Glas F., Harmand J.C., Patriarche G. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. P. 146101
  8. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Harmand J.C., Glas F. // Phys. Rev. B. 2008. V. 78. P. 235301
  9. Glas F., Harmand J.C., Patriarche G. // Phys. Rev. Lett. 2010. V. 104. P. 135501
  10. Dubrovskii V.G. // Phys. Rev. B. 2013. V. 87. P. 195426
  11. Wen C.-Y., Tersoff J., Hillerich K., Reuter M.C., Park J.H., Kodambaka S., Stach E.A., Ross F.M. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 107. P. 025503
  12. Jacobsson D., Panciera F., Tersoff J., Reuter M.C., Lehmann S., Hofmann S., Dick K.A., Ross F.M. // Nature. 2016. V. 531. P. 317--322
  13. Harmand J.C., Patriarche G., Glas F., Panciera F., Florea I., Maurice J.-L., Travers L., Ollivier Y. // Phys. Rev. Lett. 2018. V. 121. P. 166101
  14. Glas F., Ramdani M.R., Patriarche G., Harmand J.C. // Phys. Rev. B. 2013. V. 88. P. 195304
  15. Glas F., Dubrovskii V.G. // Phys. Rev. Mater. In press
  16. Dubrovskii V.G. // J. Chem. Phys. 2009. V. 131. P. 164514
  17. Dubrovskii V.G., Grecenkov J. // Cryst. Growth Design. 2015. V. 15. P. 340--347
  18. Dubrovskii V.G. // Phys. Status Solidi B. 1992. V. 171. P. 345-356

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.