Письма в журнал технической физики

Определена связь между шириной запрещенной зоны GaInAs гомо-p-n-переходов и током насыщения. Для этого предложен и обоснован метод определения ширины запрещенной зоны p-n-перехода по спектру квантового выхода фототока. Метод применен для Ga_1-xIn_xAs p-n-переходов, полученных с помощью металлоорганической газофазной эпитаксии; p-n-переходы выращивались на метаморфных буферах. Разница между шириной запрещенной зоны, определенной при помощи предложенного метода и по положению максимума спектра электролюминесценции, не превышала 3 meV. Установлено, что ток насыщения экспоненциально зависит от ширины запрещенной зоны и эта зависимость характеризуется токовым инвариантом. Ключевые слова: многопереходный солнечный элемент, метаморфный буфер, лазерный фотоэлектрический преобразователь, электролюминесценция, спектр фототока, ток насыщения, правило Урбаха.

King R.R., Law D.C., Edmondson K.M., Fetzer C.M., Kinsey G.S., Yoon H., Sherif R.A., Karam N.H. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. N 18. P. 183516
Geisz J.F., Steiner M.A., Schulte K.L., Young M., France R.M., Friedman D.J. // AIP Conf. Proc. 2018. V. 2012. P. 040004
Geisz J.F., Steiner M.A., Jain N., Schulte K.L., France R.M., McMahon W.E., Perl E.E., Friedman D.J. // IEEE J. Photovolt. 2018. V. 8. N 2. P. 626--632
Kalyuzhnyy N.A., Emelyanov V.M., Evstropov V.V., Mintairov S.A., Mintairov M.A., Nahimovich M.V., Salii R.A., Shvarts M.Z. // AIP Conf. Proc. 2019. V. 2149. P. 050006
Kalyuzhnyy N.A., Mintairov S.A., Nadtochiy A.M., Nevedomskiy V.M., Rybalchenko D.V., Shvarts M.Z. // Electron. Lett. 2017. V. 53. N 3. P. 173--175
Kim Y., Shin H.-B., Lee W.-H., Jung S.H., Kim C.Z., Kim H., Lee Y.T., Kang H.K. // Solar Energy Mater. Solar Cells. 2019. V. 200. P. 109984
Mintairov M.A., Evstropov V.V., Mintairov S.A., Shvarts M.Z., Kalyuzhnyy N.A. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1410. P. 012097
Moss T.S., Hawkins T.D.F. // Infrared Phys. 1961. V. 1. N 2. P. 111--115
Pankove J.I. Optical processes in semiconductors. Prentice-Hall, Inc., 1971. [ Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. Гл. 3.1.5.]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель