Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2020, выпуск 5 » Статья стр. 34
<<<>>>
Пространственное распределение каналируемых ионов и пробеги изотопов водорода в кристаллическом кремнии и вольфраме
DOI: 10.21883/PJTF.2020.05.49106.18034
Переводная версия: 10.1134/S1063785020030104
Мелузова Д.С.1, Бабенко П.Ю.1, Шергин А.П.1, Зиновьев А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dmeluzova@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 сентября 2019 г.
В окончательной редакции: 12 сентября 2019 г.
Принята к печати: 6 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.
PDF версия
Рассчитаны пробеги ионов H, D в кристаллическом Si и W. Показано, что с ростом энергии ионов распределение пробегов по глубине распадается на две компоненты: одна связана с рассеянием атомов в поверхностных слоях, а другая характеризует частицы, захваченные в канал. Обнаружено новое явление: после прохождения небольшого расстояния формируется устойчивая пространственная структура компоненты пучка, захваченной в канал. При торможении ионов начинается переход частиц в соседние каналы, и вблизи точки остановки пространственная структура пучка частиц, захваченных в канал, разрушается. Предложена схема эксперимента, позволяющая связать полученное пространственное распределение с угловыми распределениями вылетевших частиц. Ключевые слова: каналирование, пространственное распределение, кристалл, пробеги.
  1. Robinson M.T., Oen O.S. // Appl. Phys. Lett. 1963. V. 2. P. 30--32. DOI: 10.1063/1.1753757
  2. Lindhard J. // Kgl. Dan. Viden. Sels. Mat.-Fys. Medd. 1965. V. 14. P. 34
  3. Тулинов А.Ф. // УФН. 1967. Т. 87. N 12. С. 585--598. DOI: 10.3367/UFNr.0087.196512a.0585
  4. Vantomme A. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2016. V. 371. P. 12--26. DOI: 10.1016/j.nimb.2015.11.035
  5. Cosic M., Nevskovic N., Petrovic S. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2019. V. 444. P. 10--22. DOI: 10.1016/j.nimb.2019.02.004
  6. Hobler G., Bourdelle K.K., Akatsu T. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2006. V. 242. P. 617--619. DOI: 10.1016/j.nimb.2005.08.181
  7. Ligeon E., Guivarc'h A. // Rad. Eff. 1976. V. 27. P. 129--137. DOI: 10.1080/00337577608243025
  8. Кощеев В.П., Моргун Д.А., Штанов Ю.Н. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 12. С. 87--94
  9. Кощеев В.П., Моргун Д.А., Штанов Ю.Н. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 20. С. 77--86
  10. Hobler G., Nordlund K. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2019. V. 449. P. 17--21. DOI: 10.1016/j.nimb.2019.04.029
  11. Мелузова Д.С., Бабенко П.Ю., Шергин А.П., Зиновьев А.Н. // Поверхность. 2019. Т. 4. С. 74--78. DOI: 10.1134/S0207352819040127
  12. Zinoviev A.N., Norlund K. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 2017. V. 406. P. 511--517. DOI: 10.1016/j.nimb.2017.03.047
  13. Мейер Д., Эриксон Л., Девис Д. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973. С. 59
  14. Motapothula M.R., Breese M.B.H. // Eur. Phys. J. B. 2018. V. 91. P. 49. DOI: 10.1140/epjb/e2018-80580-4

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme