"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов
Переводная версия: 10.1134/S106378501909013X
Яковлев Г.Е. 1, Няпшаев И.А. 2,3, Шахрай И.С.2, Андроников Д.А.2, Зубков В.И. 1, Теруков Е.И. 1,2,3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: geyakovlev@etu.ru, vzubkovspb@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.

Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы гетероструктурные солнечные элементы на основе монокристаллического кремния. Проанализированы особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования современных многослойных гетероструктурных солнечных элементов. Получены профили распределения концентрации основных носителей заряда по всей толщине образцов, в том числе впервые в слоях проводящего оксида индия-олова. Ключевые слова: электрохимическое вольт-фарадное профилирование, гетероструктурные солнечные элементы, монокристаллический кремний, аморфный кремний.
  1. Delucchi M.A., Jacobson M.Z. // Energy Policy. 2013. V. 39. N 3. P. 1170--1190. DOI: 10.1016/j.enpol.2010.11.045
  2. Husain A., Wan Hasan W.Z., Shafie S., Hamidon M.N., Pandey S.S. // Renew. Sust. Energy Rev. 2018. V. 94. P. 779--791. DOI: 10.1016/j.rser.2018.06.031
  3. Shah A. Thin-film silicon solar cells. EPFL Press, 2010. 440 p
  4. Badawy W.A. // J. Adv. Res. 2015. V. 6. N 2. P. 123--132. DOI: 10.1016/j.jare.2013.10.001
  5. De Wolf S., Descoeudres A., Holman Z.C., Ballif C. // Green. 2012. V. 2. N 1. P. 7--24. DOI: 10.1515/green-2011-0018
  6. Фролов Д.С., Яковлев Г.Е., Зубков В.И. // ФТП. 2019. Т. 53. В. 2. С. 281--286. DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47114.8966
  7. Аболмасов С.Н., Абрамов А.С., Иванов Г.А., Теруков Е.И., Емцев К.В., Няпшаев И.А., Базелей А.А., Губин С.П., Корнилов Д.Ю., Ткачев С.В., Ким В.П., Рындин Д.А., Левченкова В.И. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 1. С. 74--79. DOI:10.21883/PJTF.2017.01.44092.16380
  8. Terukov E., Kosarev A., Abramov A., Malchukova E. From 11% thin film to 23% heterojunction technology (HJT) PV cell: research, development and implementation related 1600x1000 mm2 PV modules in industrial production // Solar panels and photovoltaic materials / Ed. B. Zaidi. IntechOpen, 2018. P. 62--76. DOI: 10.5772/intechopen.75013
  9. Яковлев Г.Е., Дорохин М.В., Зубков В.И., Дудин А.Л., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В. // ФТП. 2018. Т. 52. В. 8. С. 873--880. DOI: 10.21883/FTP.2018.08.46212.8708
  10. Яковлев Г.Е., Фролов Д.С., Зубкова А.В., Зубков В.И., Соломонов А.В., Стерлядкин О.К., Сорокин С.А. // ФТП. 2016. Т. 50. В. 3. С. 324--330. DOI: 10.1134/S1063782616030234
  11. Yakovlev G., Zubkov V., Solomnikova A., Derevianko O. // Turk. J. Phys. 2018. V. 42. N 4. P. 433--442. DOI: 10.3906/fiz-1803-23
  12. Facchetti A., Marks T.J. Transparent electronics: from synthesis to applications. John Wiley and Sons, 2010. 470 p
  13. Амосова Л.П. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 3. С. 426--430. DOI: 10.1134/S1063782615030045
  14. Balasubramanian N., Subrahmanyam A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1989. V. 22. N 1. P. 206--209. DOI: 10.1088/0022-3727/22/1/030
  15. Tahar R.B.H., Ban T., Ohya Y., Takahashi Y. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. N 5. P. 2631--2645. DOI: 10.1063/1.367025

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.