Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2019, выпуск 16 » Статья стр. 37
<<<>>>
Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2019.16.48155.17870
Переводная версия: 10.1134/S1063785019080212
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований, 18-72-10047
Григорьева Н.Р. 1, Штром И.В.1,2, Григорьев Р.В.1, Сошников И.П. 2,3,4, Резник Р.Р.5, Самсоненко Ю.Б.2, Сибирев Н.В.1,5, Цырлин Г.Э.3,6
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
6Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: n.r.grigorieva@spbu.ru, igorstrohm@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2019 г.
PDF версия
Изучена роль EL2-центров в формировании фотоотклика ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlxGa1-xAs (x = 0.3) n-типа, выращенных с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке p-типа. Обнаружено значительное уменьшение времени восстановления фотоотклика нитевидных нанокристаллов по сравнению с таковым для объемного кристалла при переходе EL2-центра из нефотоактивного в основное состояние. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, нитевидные нанокристаллы, фотоэлектрические свойства, дефекты, арсенид галлия, кремний.
  1. Дубровский В.Г., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 12. С. 1585--1628. DOI: 10.1134/S106378260912001X
  2. Xiang J., Lu W., Hu Y., Wu Y., Yan H., Lieber C.M. // Nature. 2006. V. 441. N 7092. P. 489--493. DOI: 10.1038/nature04796
  3. Stern E., Klemic J.F., Routenberg D.A., Wyrembak P.N., Turner-Evans D.B., Hamilton A.D., LaVan D.A., Fahmy T.M., Reed M.A. // Nature. 2007. V. 445. N 7127. P. 519--522. DOI: 10.1038/nature05498
  4. Klauk H. // Nature. 2008. V. 451. N 7178. P. 533--534. DOI: 10.1038/451533a
  5. Novotny C.J., Yu E.T., Yu P.K.L. // Nano Lett. 2008. V. 8. N 3. P. 775--779. DOI: 10.1021/nl072372c
  6. Алексеев П.А., Дунаевский М.С., Марычев М.О., Нежданов А.В., Lepsa M., Grutzmacher D., Титков А.Н. // Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2013. Т. 2. В. 2. С. 22--27
  7. Li Q.H., Gao T., Wang Y.G., Wang T.H. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. N 12. P. 123117. DOI: 10.1063/1.1883711
  8. Григорьев Р.В., Штром И.В., Григорьева Н.Р., Новиков Б.В., Сошников И.П., Самсоненко Ю.Б., Хребтов А.И., Буравлев А.Д., Цырлин Г.Э. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 9. С. 71--79. DOI: 10.1134/S1063785015050077
  9. Kabiraj D., Ghosh S. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. N 10. P. 1713--1715. DOI: 10.1063/1.1667617
  10. Fukuyama A., Sakai K., Ikari T., Akashi Y., Suemitsu M. // Physica B. 2004. V. 348. N 1-4. P. 1-5. DOI: 10.1016/j.physb.2004.02.007
  11. Жуков А.В. // Изв. вузов. Электроника. 2016. Т. 21. В. 1. С. 21--27. DOI: 10.1134/S1063782616130145
  12. Matsuki H., Miyazawa H., Murakami K., Yamamoto T. // J. Appl. Phys. 1988. V. 63. N 8. P. 3394--3396. DOI: 10.1063/1.340794

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme