Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063785019070149 
Российский научный фонд, Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 18-79-10088
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Госзадание, 8.1751.2017/ПЧ
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Стипендия Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, СП-2450.2018.5
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: mikhail28ved@gmail.com
Поступила в редакцию: 29 марта 2019 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
Исследованы вольт-амперные характеристики светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с инжектором из разбавленного магнитного полупроводника (In,Fe)Sb. Выполнен анализ вольт-амперных характеристик структур (In,Fe)Sb/n-GaAs и (In,Fe)Sb/p-GaAs. Построены зонные диаграммы гетеропереходов. Показано, что исследованные структуры по механизму токопереноса аналогичны структурам с барьером Шоттки. Ключевые слова: разбавленные магнитные полупроводники, диодные структуры, гетеронаноструктуры A3B5, спиновая инжекция.
- Holub M., Bhattacharya P. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. V. 40. P. R179-R203
- Jungwirth T., Sinova J., Masek J., Kucera J., MacDonald A.H. // Rev. Mod. Phys. 2006. V. 78. P. 809-864
- Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kriukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. // J. Appl. Phys. 2017. V. 122. P. 183901
- arXiv:1810.13271
- Hinkley E.D., Rediker R.H. // Solid-State Electron. 1967. V. 10. P. 671-687
- Chyi J.-I., Mui D., Chen J., Morkoc H. // Solid-State Electron. 1991. V. 34. P. 747-750
- Зи C. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. Изд. 2-е, перераб. и доп. М.: Мир, 1984. Т. 1. 456 c
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
