Вышедшие номера
Повышение степени циркулярной поляризации спиновых светоизлучающих диодов путем обработки в парах селена
Переводная версия: 10.1134/S1063785019030064
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Инициативные научные проекты, 16-07-01102
Министерство образования и науки Российской Федерации, базовая часть государственного задания, 16.7443.2017/БЧ
Дорохин М.В. 1, Дёмина П.Б.1, Буданов А.В.2, Власов Ю.Н.2, Котов Г.И.2, Здоровейщев А.В.1, Трушин В.Н.1, Звонков Б.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Воронежский государственный университет инженерных технологий, Воронеж, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Сформированы спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитным инжектором CoPt. Показано, что обработка поверхности структур в парах селена перед нанесением CoPt-контакта позволяет повысить степень циркулярной поляризации излучения диода (по сравнению с исходной необработанной структурой). Повышение степени поляризации связывается с уменьшением спиновой релаксации на границе металлического и полупроводникового слоев вследствие пассивации поверхности и уменьшения плотности поверхностных электронных состояний в результате обработки в парах селена.
  1. Holub M., Bhattacharya P. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. V. 40. P. R179--R203
  2. Nishizawa N., Nishibayashi K., Munekata H. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 104. P. 111102
  3. Maekawa S. Concepts in spin electronics. N.Y.: Oxford University Press, 2006. 398 р
  4. Аронов А.Г., Пикус Г.Е. // ФТП. 1976. Т. 10. В. 6. С. 1177--1179
  5. Salis G., Wang R., Jiang X., Shelby R.M., Parkin S.S.P., Bank S.R., Harris J.S. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 262503
  6. Родерик Э.Х. Контакты металл--полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 209 с
  7. Ускова Е.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Дёмина П.Б., Малышева Е.И., Питиримова Е.А., Гильмутдинов Ф.З. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006. N 2. С. 89--95
  8. Barate P., Liang S., Zhang T.T., Frougier J., Vidal M., Renucci P., Devaux X., Xu B., Jaffres H., George J.M., Marie X., Hehn M., Mangin S., Zheng Y., Amand T., Tao B., Han X.F., Wang Z., Lu Y. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. P. 012404
  9. Sato S., Nakane R., Hada T., Tanaka M. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. P. 235204
  10. Буданов А.В., Агапов Б.Л., Болдырева Я.А., Стрыгин В.Д., Татохин Е.А. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2012. N 1. С. 21--27
  11. Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Власов Ю.Н., Стародубцев А.А. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 11. С. 756--759
  12. Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. // ФТП. 2015. Т. 49. В. 12. С. 1649--1653
  13. Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И., Павлов Д.А., Сайед С. // Поверхность. Рентггеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2015. N 7. С. 57--60
  14. Afifi M.A., Bekheet A.E., El-Shair H.T., Zedan I.T. // Physica B. 2003. V. 325. P. 308--318
  15. Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Дёмина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. // ФТТ. 2017. Т. 59. В. 11. С. 2203--2205
  16. Salis G., Wang R., Jiang X., Shelby R.M., Parkin S.S.P., Bank S.R., Harris J.S. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. P. 262503
  17. Liang S.H., Zhang T.T., Barate P., Frougier J., Vidal M., Renucci P., Xu B., Jaffres H., George J.-M., Devaux X., Hehn M., Marie X., Mangin S., Yang H.X., Hallal A., Chshiev M., Amand T., Liu H.F., Liu D.P., Han X.F., Wang Z.G., Lu Y. // Phys. Rev. B. 2014. V. 90. P. 085310
  18. Дорохин М.В., Ведь М.В., Дёмина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Рыков А.В., Кузнецов Ю.М. // ФТТ. 2017. Т. 59. В. 11. С. 2135--2151.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.