Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением
Переводная версия: 10.1134/S1063785019020342 
Министерство образования и науки Российской Федерации, 3.9506.2017/8.9
Трегулов В.В.
1, Литвинов В.Г.
2, Ермачихин А.В.
2
1Рязанский государственный университет им. С.А. Есенина, Рязань, Россия 
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
Email: trww@yandex.ru, vglit@yandex.ru, al.erm@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование дефектов в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с p-n-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, изготовленной с применением химического окрашивающего травления. Предложено объяснение влияния режимов формирования пленки пористого кремния на характер трансформации дефектов с глубокими уровнями и основные характеристики фотоэлектрического преобразователя.
- Handbook of porous silicon / Ed. L. Canham. Springer International Publ., 2014. 1017 p. DOI: 10.1007/978-3-319-04508-5\_95-1
- Ayat M., Belhousse S., Boarino L., Gabouze N., Boukherroub R., Kechouane M. // Nanoscale Res. Lett. 2014. V. 9. N 1. P. 482 (1--7). DOI: 10.1186/1556-276X-9-482
- Ermachikhin A.V., Litvinov V.G. // Instrum. Exp. Techn. 2018. V. 61. N 2. P. 277--282. DOI: 10.1134/S00204 41218020021
- Трегулов В.В., Литвинов В.Г., Ермачихин А.В. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. В. 21. С. 3--9. DOI: 10.21883/PJTF.2017.21.45155.16929
- Батенков В.А. Электрохимия полупроводников. Барнаул: Изд-во Алт. ун-та, 2002. 162 с
- Улин В.П., Улин Н.В., Солдатенков Ф.Ю. // ФТП. 2017. Т. 51. В. 4. С. 481--496. DOI: 10.21883/PJTF.2019.04.47332.17597
- Стецюра С.В., Козловский А.В., Маляр И.В. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 4. С. 24--32
- Gautier G., Leduc P. // Appl. Phys. Rev. 2014. V. 1. N 1. P. 011101 (1--18). DOI: 10.1063/1.4833575
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
