"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности конденсации кремния на поверхности монокристалла вольфрама
Переводная версия: 10.1134/S1063785018120258
Голубев О.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: O.Golubev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

С помощью методов полевой эмиссионной микроскопии изучалась конденсация Si на поверхности W при различных температурах подложки T и количествах n моноатомных слоев осажденного конденсата. При низких T~ 600 K на поверхности формируется низкотемпературный монослой Si со структурой чистого W, тогда как при T≥ 1000 K формируется другая структура высокотемпературного монослоя --- поверхностный силицид. Низкотемпературный монослой и поверхностный силицид различаются также и ориентирующим действием при наращивании слоев Si. В случае конденсации на низкотемпературный монослой собственные кристаллиты Si формируются уже начиная с третьего монослоя n≥ 3, тогда как при конденсации на поверхностный силицид рост кристаллитов Si происходит начиная с n ≥ 300 монослоев.
  • Flaim T.A., Ownby P.D. // Surf. Sci. 1972. V. 32. N 3. P. 519--526
  • Gall N.R., Rutkov E.V., Tontegode A.Ya. // Thin Solid Films. 1995. V. 266. P. 229--238
  • Tsong T.T., Wang S.C., Liu H.F. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. V. 1. P. 915--922
  • Tsong T.T. // Surf. Sci. Rep. 1988. V. 8. N 3/4. P. 127--207
  • Nishikava O., Tomori M., Iwawaki F. // Surf. Sci. 1992. V. 266. P. 204--213
  • Голубев О.Л. // ЖТФ. 2011. Т. 81. В. 6. С. 113--119
  • Fowler R.H., Nordheim L. // Proc. Roy. Soc. A. 1928. V. 119. N 781. P. 173--181
  • Голубев О.Л. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 12. С. 18--24
  • Голубев О.Л., Конторович Е.Л., Шредник В.Н. // ЖТФ. 1996. Т. 66. В. 3. С. 88--96
  • Логинов М.В., Шредник В.Н. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В. 13. С. 1--9
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.