Вышедшие номера
Формирование нанофазного смачивающего слоя и рост металла на полупроводнике
Переводная версия: 10.1134/S1063785018110123
Плюснин Н.И.1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия
Email: plusnin@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

На основе данных исследования атомной плотности пленки и степени ее однородности в процессе формирования границы раздела 3d-переходных металлов (Cr, Co, Fe, Cu) на кремнии обосновывается новая концепция формирования контакта химически активного металла с полупроводником. Согласно этой концепции, при низкотемпературном парофазном осаждении металла на полупроводник происходит формирование двумерного нанофазного смачивающего слоя металла или его смеси с кремнием толщиной в несколько монослоев, который оказывает существенное влияние на процесс формирования и структуру границы раздела. Эта концепция изменяет взгляд на формирование контакта металла с полупроводниковой подложкой: необходимо учитывать не только процессы образования поверхностных фаз, кластеров и/или процесс перемешивания, но и эффект упругого смачивания подложки образующимися фазами.
  1. Del Alamo J.A. // Nature. 2011. V. 479. P. 317--323
  2. Chen L.J. // JOM. 2005. V. 57. P. 24--30
  3. Sung S.J., Yang J.W., Lee P.R., Kim J.G., Ryu M.T., Park H.M., Lee G., Hwang C.C., Kim K.S., Kim J.S., Chung J.W. // Nanoscale. 2014. V. 6. P. 3824--3829
  4. L"uth H. // Solid surfaces, interfaces and thin films. Berlin: Springer, 2015. 589 p
  5. Brillson L.J. // Surfaces and interfaces of electronic materials. Weinheim: John Wiley \& Sons, 2010. P. 327-364
  6. Oura K., Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V., Katayama M. // Surface science: an introduction. Berlin-Heidelberg-N.Y.: Springer Science \& Business Media, 2013. 440 p
  7. Weaver J.H. // Phys. Today. 1986. V. 39. P. 24--30
  8. Plusnin N.I. // Mod. Electron. Mater. 2017. V. 3. P. 131--141.
  9. Alberti A., La Magna A. // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. P. 121301 (1--38)
  10. Plusnin N.I. // Mod. Electron. Mater. 2017. V. 3. P. 57--65; Плюснин Н.И. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2015. Т. 18. N 2. С. 81--94
  11. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Чикичев С.И. // УФН. 2001. Т. 171. N 7. С. 689--715
  12. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Шмитт Ф., Хесс П. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 10. С. 1177--1185
  13. Robertson D., Pound G.M. // J. Cryst. Growth. 1973. V. 19. P. 269--284.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.