Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Достоверность выявления пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных пленках с помощью структурно-чувствительного травления
Переводная версия: 10.1134/S1063785018100218 
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: trukh@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
На примере гетероструктур Ge/Si(001) рассмотрено соответствие между пронизывающими дислокациями (ПД) и ямками, выявляемыми методом селективного структурного травления. Для пленок, толщина которых h≤1 mum, показано, что недостаточное разрешение оптической микроскопии приводит к значительному занижению плотности ПД. Приведены рекомендации для повышения достоверности оценки плотности ПД методом травления.
- Buzynin A., Buzynin Y., Shengurov V., Voronkov V., Menke A., Luk'yanov A., Panov V., Baidus N. // Green Sustainable Chem. 2017. V. 7. P. 217--233
- Buzynin Y., Shengurov V., Zvonkov B., Buzynin A., Denisov S., Baidus N., Drozdov M., Pavlov D., Yunin P. // AIP Adv. 2017. V. 7. P. 015304
- Kil Y.-H., Yang J.-H., Kang S., Kim D.-J., Jeong T.S., Choi C.-J., Kim T.S., Shim K.-H. // Mater. Sci. Semicond. Proc. 2014. V. 21. P. 58--65
- Souriau L., Terzieva V., Meuris M., Caymax M. // Solid State Phenom. 2008. V. 134. P. 83--86
- Claeys C., Simoen E. Extended defects in germanium: fundamental and technological aspects. Berlin--Heidelberg: Springer, 2008. 300 p
- McCluskey M.D., Haller E.E. Dopants and defects in semiconductors. CRC Press, 2018. 350 p.
- Ravi K.V. Imperfections and impurities in semiconductor silicon. Wiley, 1981. 379 p
- Rhodes R.G., Henisch H.K. Imperfections and active centres in semiconductors. International series of monographs on semiconductors. Elsevier Science, 2014. 386 p
- Фалькевич Э., Пульнер Э., Червоный И. Технология полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1992. 408 с
- Holmes P. // The electrochemistry of semiconductors. London--N.Y.: Acad. Press, 1962. P. 329--377.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
