Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 17 » Статья стр. 95
<<<>>>
Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов alpha-Si : H/Si с тонким внутренним слоем i-alpha-Si : H
DOI: 10.21883/PJTF.2018.17.46576.17283
Переводная версия: 10.1134/S1063785018090067
Калиновский В.С.1, Теруков Е.И.1,2, Контрош Е.В.1, Вербицкий В.Н.1, Титов A.С.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: eug.terukov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.
PDF версия
Исследована деградация фотоэлектрических характеристик образцов гетеропереходных солнечных элементов на основе структур alpha-Si : H/Si при облучении электронами (с энергией 3.8 MeV) флюенсами 1·1012-1·1014 cm-2. Показано, что КПД образцов исследованных гетеропереходных солнечных элементов в условиях освещенности АМ0 (0.136 W/cm2) снижается на 25% при флюенсе 2·1013 cm-2, что более чем на порядок превышает критический флюенс, достигнутый ранее при облучении высокоэнергетическими электронами кремниевых солнечных элементов с p-n-переходом и базой n-типа.
  1. Masuko K., Shigematsu M., Hashiguchi T., Fujishima D., Kai M., Yoshimura N., Yamaguchi T., Ichihashi Y., Mishima T., Matsubara N,, Yamanishi T., Takahama T., Taguchi M., Maruyama E., Okamoto S. // IEEE J. Photovoltaics. 2014. V. 4. N 6. P. 1433--1435
  2. Yamamoto K., Yoshikawa K., Yoshida W., Irie T., Kawasaki H., Konishi K., Asatani T., Kanematsu M., Mishima R., Nakano K., Uzu H., Adachi D. High efficiency alpha-Si/c-Si heterojunction solar cells // Program Book. 27th Int. Conf. on amorphous and nanocrystalline semiconductors. Seoul, Korea, 2017. P. 92
  3. Миличко В.А., Шалин А.С., Мухин И.С., Ковров А.Э., Красилин А.А., Виноградов А.В., Белов П.А., Симовский К.Р. // УФН. 2016. Т. 186. N 8. С. 801--852
  4. Shah A.V., Schade H., Vanecek M., Meier J., Vallat-Sauvain E., Wyrsch N., Kroll U., Droz C., Bailat J. // Prog. Photovolt.: Res. Appl. 2004. V. 12. P. 113--142. DOI: 10.1002, pip.533
  5. Markvart T. // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 1990. V. 1. N 1. P. 1--12
  6. Васильев А.М., Ландсман А.П. Полупроводниковые преобразователи. М.: Сов. радио, 1971. 248 с.
  7. Андреев В.М., Евстропов В.В., Калиновский В.С., Лантратов В.М., Хвостиков В.П. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 5. С. 671--678
  8. Андреев А.А., Андреев В.М., Калиновский В.С., Покровский П.В., Теруков Е.И. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 7. С. 952--959
  9. Климко Г.В., Комиссарова Т.А., Сорокин С.В., Контрош Е.В., Лебедева Н.М., Усикова А.А., Ильинская Н.Д., Калиновский В.С., Иванов С.В. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 18. С. 82--88.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme