Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронная структура наноинтерфейса Cs/n-GaN(0001)
Переводная версия: 10.1134/S106378501803015X 
Бенеманская Г.В.1, Лапушкин М.Н.1, Марченко Д.Е.2, Тимошнев С.Н.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Lapushkin@ms.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
Впервые проведены фотоэмиссионные исследования методом фотоэлектронной спектроскопии in situ электронной структуры поверхности n-GaN(0001) и интерфейса Cs/n-GaN(0001) в диапазоне субмонослойных Cs-покрытий. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны, спектры поверхностных состояний и остовных уровней Ga 3d, Cs 4d и Cs 5p при синхротронном возбуждении в диапазоне энергий фотонов 50-150 eV. Обнаружена эволюция спектра поверхностных состояний вблизи максимума валентной зоны при адсорбции атомов Cs. Показан металлический характер наноинтерфейса Cs/n-GaN(0001). DOI: 10.21883/PJTF.2018.06.45767.16885
- Lorenz P., Gutt R., Haensel T., Himmerlich M., Schaefer J.A., Krischok S. // Phys. Status Solidi C. 2010. V. 7. N 2. P. 169--172
- Widstrand S.M., Magnusson K.O., Johansson L.S.O., Oshima M. // Surf. Sci. 2005. V. 584. N 2-3. P. 169--178
- Dhesi S.S., Stagarescu C.B., Smith K.E., Doppalapudi D., Singh R., Moustakas T.D. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. N 16. P. 10271--10275
- Himmerlich M., Lymperakis L., Gutt R., Lorenz P., Neugebauer J., Krischok S. // Phys. Rev. B. 2013. V. 88. N 12. P. 125304(1--7)
- Grodzicki M., Mazur P., Zuber S., Brona J., Ciszewski A. // Appl. Surf. Sci. 2014. V. 304. P. 20--23
- Chao Y.-C., Stagarescu C.B., Downes J.E., Ryan P., Smith K.S., Hanser D., Bremser M.D., Davis R.F. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. N 24. P. R15586--R15589
- Strasser T., Solterbeck C., Starrost F., Schattke W. // Phys. Rev. B. 1999. V. 60. N 16. P. 11577--11585
- Segev D., Van de Walle C.G. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 300. N 1. P. 199--203
- Wang F.-H., Kruger P., Pollmann J. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. N 3. P. 035305(1-8)
- Du Y., Chang B., Wang X., Zhang J., Li B., Wang M. // Appl. Surf. Sci. 2012. V. 258. N 19. P. 7425--7429
- Ptasinska M., So1tys J., Piechota J., Krukowski S. // Vacuum. 2014. V. 99. P. 166--174
- Wu C.I., Kahn A. // Appl. Surf. Sci. 2000. V. 162--163. P. 250--255
- Machuca F., Sun Y., Liu Z., Ioakeimidi K., Pianetta P., Pease R.F.W. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2000. V. 18. N 6. P. 3042--3046
- Kampen T.U., Eyckeler M., Moench W. // Appl. Surf. Sci. 1998. V. 123--124. P. 28--32
- Benemanskaya G.V., Lapushkin M.N., Timoshnev S.N. // Surf. Sci. 2009. V. 603. P. 2474--2478.
- Ji Y., Du Y., Wang M. // Sci. World J. 2014. V. 2014. P. 490853 (1--6)
- Chugh M., Ranganathan M. // J. Phys. Chem. C. 2016. V. 120. N 15. P. 8076--8086
- Fedorus A.G., Naumovets A.G., Vedula Yu.S. // Phys. Status Solidi A. 1972. V. 13. N 2. P. 445--456.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
