Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2018, выпуск 2 » Статья стр. 11
<<<>>>
Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2018.02.45459.16947
Переводная версия: 10.1134/S1063785018010169
Министерства образования и науки РФ, Государственное задание, 3.7331.2017/9.10
РФФИ, 16-29-14029 офи_м
Номоев С.А. 1, Васильевский И.С. 1, Виниченко А.Н. 1, Козловский К.И. 1, Чистяков А.А. 1, Мишина Е.Д. 2, Хусяинов Д.И.2, Буряков А.М. 2
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
Email: bello16@mail.ru, mishina_elena57@mail.ru, Husyainov@mirea.ru
Поступила в редакцию: 3 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.
PDF версия
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены пленки LT-GaAs (low temperature gallium arsenide - арсенид галлия, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре роста) на подложках GaAs(100) при температуре 230oC и проведен постростовый отжиг. На поверхности пленок изготовлены фотопроводящие антенны с флажковой геометрией. Получены мощностные зависимости терагерцевого отклика при различных значениях напряжения смещения и температуры постростового отжига. Методом терагерцевой спектроскопии исследованы спектральные характеристики изготовленных фотопроводящих антенн. Определен диапазон оптимальной температуры постростового отжига (670-720oC) пленок LT-GaAs. DOI: 10.21883/PJTF.2018.02.45459.16947
  1. Krishna M.G., Kshirsagar S.D., Tewari S.P. // Photodetectors / Ed. S. Gateva. InTech, 2012. Ch. 6
  2. Gupta S., Frankel M.Y., Valdmanis J.A., Whitaker J.F., Mourou G.A., Smith F.W., Calawa A.R. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. N 25. P. 3276--3278
  3. Smith F.W., Le H.Q., Diadiuk V.. Hollis M.A., Calawa A.R., Gupta S., Franke M., Dykaar D.R., Mourou G.A., Hsiang T.Y. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. N 10. P. 890--892
  4. Harmon E.S., Melloch M.R., Woodall J.M., Nolte D.D., Otsuka N., Chang C.L. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. N 16. P. 2248--2250
  5. Liu T.-A., Tani M., Nakajima M., Hangyo M., Pan C.-L. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. N 7. P. 1322--1324
  6. Warren A.C., Woodall J.M., Kirchner P.D., Yin X., Pollak F., Melloch M.R., Otsuka N., Mahalingam K. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. N 8. P. 4617--4620
  7. Левашова А.Е., Пастор А.А., Сердобинцев П.Ю., Чалдышев В.В. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 12. С. 37--43
  8. Youn D.-H., Lee S.-H., Ryu H.-C., Jung S.-Y., Kang S.-B., Kwack M.-H., Kim S., Choi S.-K., Baek M.-C., Kang K.-Y., Kim C.-S., Yee K.-J., Ji Y.-B., Lee E.-S., Jeon T.-I., Kim S.-J., Kumar S., Kim G.-H. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. N 12. P. 123528
  9. Zhang D.H., Radhakrishnan K., Yoon S.F. // J. Cryst. Growth. 1994. V. 135. N 3-4. P. 441--446
  10. Берт Н.А., Вейнгер А.И., Вилисова М.Д., Голощапов С.И., Ивонин И.В., Козырев С.В., Куницын А.Е., Лаврентьева Л.Г., Лубышев Д.И., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Третьяков В.В., Чалдышев В.В., Якубеня М.П. // ФTT. 1993. Т. 35. В. 10. С. 2609--2625
  11. Галиев Г.Б., Пушкарёв С.С., Буряков А.М., Билык В.Р., Мишина Е.Д., Климов Е.А., Васильевский И.С., Мальцев П.П. // ФТП. 2017. Т. 51. B. 4. С. 529--534
  12. Kim J.O., Lee S.J., Yee D.S., Noh S.K., Shin J.H., Park K.H., Kang C., Kee C.-S., Kim D.W., Kim J.S. // J. Korean Phys. Soc. 2011. V. 58. N 5. P. 1334--1338
  13. Kasai S., Watanabe M., Ouchi T. // Jpn. J. Appl. Phys. 2007. V. 46. N 7A. P. 4163--4165
  14. Yano R., Gotoh H., Hirayama Y., Miyashita S., Kadoya Y., Hattori T. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. N 10. P. 103103

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme