"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн
Министерство образования и науки Российской Федерации, Государственное задание , 3.7331.2017/9.10
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), А, 16-07-00187А
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), офи_м, 16-29-14029 офи_м
Российский научный фонд, 14-29-00277
Хусяинов Д.И 1, Буряков А.М. 1, Билык В.Р. 1, Мишина Е.Д. 1, Пономарев Д.С. 2, Хабибуллин Р.А. 2, Ячменев А.Э. 2
1Московский технологический университет "МИРЭА"
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва
Email: Husyainov@mirea.ru, bello16@mail.ru, mishina_elena57@mail.ru, Dinar1434429@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 июля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Методами оптического зондирования при фемтосекундной лазерной накачке (optical pump-probe) и терагерцевой спектроскопии во временной области исследовано влияние эпитаксиальных напряжений на динамику неравновесных носителей заряда, а также спектр терагерцевого излучения в пленках InyGa1-yAs. Продемонстрировано снижение времени жизни неравновесных носителей заряда и увеличение ширины спектра терагерцевого излучения для пленки InyGa1-yAs с большим механическим напряжением. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45260.16958
  • Jepsen P.U. et al. // Laser Photon. Rev. 2011. V. 5. P. 124
  • Falconer R.J. et al. // J. Infrared Millimeter Terahertz Waves. 2012. V. 33. P. 973
  • Federici J.F. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. P. S266
  • Berry C.W. // Nature Commun. 2013. V. 4. P. 1610
  • Globisch B. et al. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. P. 053102
  • Галиев Г.Б. и др. // Рос. нанотехнологии. 2015. Т. 10. N 7--8. C. 69
  • Galiev G.B. et al. // J. Cryst. Growth. 2014. V. 392. P. 11
  • Пономарев Д.С. и др. // ФТП. 2017. Т. 51. С. 535
  • Khusyainov D.I. et al. // J. Mod. Phys. B. 2017. V. 31. P. 1
  • Kimel A.V. et al. // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. P. 235201
  • Галиев Г.Б. и др. // ФТП. 2017. Т. 51. P. 529
  • Ortiz V. et al. // J. Appl. Phys. 2007. V. 102. P. 043515
  • Wells N.P. et al. // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. P. 073506
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.