"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7-8 mum
Министерство образования и науки РФ , Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научнотехнологического комплекса России на 2014−2020 годы, RFMEFI57816X0204
Бабичев А.В. 1,2, Гладышев А.Г.2, Филимонов А.В.2, Неведомский В.Н.3, Курочкин А.С.1, Колодезный Е.С.1, Соколовский Г.С. 3, Бугров В.Е.1, Карачинский Л.Я.1,2,3, Новиков И.И.1,2,3, Bousseksou A. 4, Егоров А.Ю.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Centre for Nanoscience and Nanotechnology, CNRS UMR, Univ. Paris Sud, Univ. Paris Saclay, Orsay, France
Email: anton.egorov@connector-optics.com
Поступила в редакцию: 17 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июня 2017 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии продемонстрирована возможность изготовления гетероструктур квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 7-8 mum, содержащих в активной области 50 квантовых каскадов на основе гетеропары твердых растворов In0.53Ga0.47As/Al0.48In0.52As. Для получения оптического излучения использована конструкция квантового каскада, основанная на принципе двухфононного резонансного рассеяния. Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные свойства созданных гетероструктур и подтверждено их высокое структурное совершенство --- идентичность состава и толщин эпитаксиальных слоев во всех 50 каскадах. Полосковые лазеры, изготовленные из гетероструктуры, демонстрируют лазерную генерацию с пороговой плотностью тока менее 1.6 kA/cm2 при температуре 78 K. DOI: 10.21883/PJTF.2017.14.44833.16776
  • Yu J.S., Slivken S., Razeghi M. // Semicond. Sci. Technol. 2010. V. 25. P. 125015
  • Pushkarsky M.B., Dunayevskiy I.G., Prasanna M. et al. // Proc. Nat. Acad. Sci. 2006. V. 103. P. 19630
  • Darvish S.R., Zhang W., Evans A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 251119
  • Xu G., Moreau V., Chassagneux Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. P. 221101
  • Maulini R., Lyakh A., Tsekoun A., Patel C.K.N. // Opt. Express. 2011. V. 19. P. 17203
  • Gmachl C., Tredicucci A., Capasso F. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 3130
  • Leavitt R.P., Bradshaw J.L., Lascola K.M. et al. // Opt. Eng. 2010. V. 49. P. 111109
  • Troccoli M., Lyakh A., Fan J. et al. // Opt. Mater. Express. 2013. V. 3. P. 1546
  • Troccoli M. // IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 2015. V. 21. P. 61
  • Gmachl C., Capasso F., Tredicucci A. et al. // IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 1999. V. 5. P. 808
  • Fedosenko O., Chashnikova M., Machulik S. et al. // J. Cryst. Growth. 2011. V. 323. P. 484
  • Babichev A.V., Bousseksou A., Pikhtin N.A. et al. // Semiconductors. 2016. V. 50. P. 1299
  • Garcia M., Vermersch F.J., Marcadet X. et al. // Proc. SPIE. 2006. V. 6133. P. 613304
  • Lazarenko A.A., Nikitina E.V., Pirogov E.V. et al. // Tech. Phys. Lett. 2016. V. 42. P. 284
  • Egorov A.Y., Brunkov P.N., Nikitina E.V. et al. // Semiconductors. 2014. V. 48. P. 1600
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.