Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2017, выпуск 10 » Статья стр. 95
<<<>>>
Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом a-Si : H/c-Si
DOI: 10.21883/PJTF.2017.10.44626.16626
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-32-60060 мол_а_дк
Жигунов Д.М. 1, Ильин А.С. 1,2, Форш П.А. 1,2, Бобыль А.В. 3, Вербицкий В.Н. 3, Теруков Е.И. 3, Кашкаров П.К. 1,2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: phorsh@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 декабря 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.
PDF версия
Исследованы электролюминесценция и фотолюминесценция солнечных элементов, содержащих гетеропереходы a-Si : H/c-Si. Установлено, что как электролюминесценция, так и фотолюминесценция исследованных элементов определяются излучательной рекомбинацией неравновесных носителей заряда в кристаллическом кремнии. Продемонстрировано, что внешний энергетический выход (КПД) электролюминесценции солнечных элементов с гетеропереходом a-Si : H/c-Si составляет при комнатной температуре значение 2.1%, что превосходит имеющиеся на данный момент значения для кремниевых диодных структур. Столь значительные величины КПД электролюминесценции могут объясняться хорошей пассивацией поверхности кристаллического кремния и соответственно увеличением времени жизни неосновных носителей заряда в исследованных элементах. DOI: 10.21883/PJTF.2017.10.44626.16626
  1. de Boer W.D.A.M., Timmerman D., Dohnalova K. et al. // Nat. Nanotechnol. 2010. V. 5. P. 878
  2. Cho K.S., Park N.M., Kim T.Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. P. 071909
  3. Takeoka S., Fujii M., Hayashi S. // Phys. Rev. B. 2000. V. 62. P. 16820
  4. Huh Ch., Kim T.-Y., Ahn Ch.-G., Kim B.K. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. P. 211103
  5. Emelyanov A.V., Kazanskii A.G., Khenkin M.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. P. 081902
  6. Emelyanov A.V., Kazanskii A.G., Forsh P.A. et al. // J. Nanoelectron. Optoelectron. 2015. V. 10. P. 649
  7. Kveder V.V., Steinman E.A., Shevchenko S.A., Grimmeiss H.G. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 10520
  8. Шевченко C.А., Изотов Н.А. // ФТТ. 2003. Т. 45. С. 248
  9. Ng W.L., Lourenco M.A., Gwilliam R.M. et al. // Nature. 2001. V. 410. P. 192
  10. Green M.A., Zhao J., Wang A. et al. // Nature. 2001. V. 412. P. 805
  11. Емельянов А.М. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. С. 75
  12. Емельянов А.М. // ФТП. 2011. Т. 45. С. 823
  13. Trupke T., Zhao J., Wang A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 2996
  14. Masuko K., Shigematsu M., Hashiguchi T. et al. // IEEE J. Photovolt. 2014. V. 4. P. 1433
  15. Bresler M.S., Gusev O.B., Terukov E.I. et al. // J. Non-Cryst. Solids. 2004. V. 338--340. P. 440
  16. Бреслер М.С., Гусев О.Б., Теруков Е.И. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. С. 18
  17. Davies G. // Phys. Reports. 1989. V. 176. P. 83

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme