Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 22 » Статья стр. 9
<<<>>>
Время инкубации гетерогенного роста островков в режиме неполной конденсации
DOI: 10.21883/pjtf.2016.22.43933.16306
Дубровский В.Г.1,2,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: dubrovskii@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.
PDF версия
Проведен теоретический анализ времени инкубации, необходимого для начала роста поверхностных островков на гетерогенных центрах нуклеации, в зависимости от газового потока материала и температуры поверхности. Показано, что при гетерогенном росте в режиме неполной конденсации время инкубации увеличивается с температурой по аррениусовскому закону и уменьшается с потоком обратно пропорционально последнему независимо от механизма диффузионного транспорта в островки. Проведено качественное сопоставление результатов с экспериментальными данными по времени инкубации трехмерных островков GaN, возникающих на начальном этапе самоиндуцированного роста нитевидных нанокристаллов GaN.
  1. Kashchiev D., Verdoes D., Van Rosmalen G.M. // J. Cryst. Growth. 1991. V. 110. P. 373
  2. Venables J.A. // Sur. Sci. 1994. V. 299--300. P. 798
  3. Thompson C.V. // J. Mater. Res. 1999. V. 14. P. 3161
  4. Venables J.A., Spiller G.D.T., Hanbucken M. // Rep. Prog. Phys. 1984. V. 47. P. 399
  5. Kukushkin S.A., Osipov A.V. // Prog. Surf. Sci. 1996. V. 51. P. 1
  6. Dubrovskii V.G. // Phys. Stat. Sol. (b). 1992. V. 171. P. 345
  7. Consonni V., Trampert A., Geelhaar L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. P. 033 102
  8. Hestroffer K., Leclere C., Cantelli V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 212 107
  9. Fernandez-Garrido S., Zettler J.K., Geelhaar L. et al. // Nano Lett. 2015. V. 15. P. 1930
  10. Sobanska M., Korona K.P., Zytkiewicz Z.R. et al. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. P. 184 303
  11. Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 4. P. 89
  12. Sanchez-Garcia M.A., Calleja E., Monroy E. et al. // J. Cryst. Growth. 1998. V. 183. P. 23
  13. Galopin E., Largeau L., Patriarche G. et al. // Nanotechnology. 2001. V. 22. P. 245 606
  14. Dubrovskii V.G., Consonni V., Trampert A. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. P. 165 317
  15. Consonni V., Dubrovskii V.G., Trampert A. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. P. 155 313
  16. Dubrovskii V.G., Consonni V., Geelhaar L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 153 101
  17. Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Zhang X. et al. // Cryst. Growth Des. 2010. V. 10. P. 3949
  18. Zhang X., Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. et al. // Cryst. Growth Des. 2011. V. 11. P. 5441
  19. Cirlin G.E., Dubrovskii V.G., Petrov V.N. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 13. P. 1262
  20. Дубровский В.Г., Бердников Ю.С., Соколова Ж.В. // Письма в ЖТФ. 2015. Т. 41. В. 5. С. 73
  21. Dubrovskii V.G. // J. Chem. Phys. 2009. V. 131. P. 164 514

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme