"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
Блохин С.А. 1, Бобров М.А. 1, Кузьменков А.Г. 1,2, Блохин А.А. 1, Васильев А.П. 1,2, Гусева Ю.А.1, Кулагина М.М. 1, Карповский И.О.1,3, Задиранов Ю.М. 1, Трошков С.И. 1, Прасолов Н.Д.1,4, Брунков П.Н. 1,4, Левицкий В.С. 5, Лисак В. 1,4, Малеев Н.А. 1, Устинов В.М. 1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО)
5НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург
Email: blokh@mail.ioffe.ru, bobrov.mikh@gmail.com, kuzmenkov@mail.ioffe.ru, bloalex91@yandex.ru, vasiljev@mail.ioffe.ru, guseva.ja@gmail.com, Marina.Kulagina@mail.ioffe.ru, 8ig9un@gmail.com, zadiranov@mail.ioffe.ru, S.Troshkov@mail.ioffe.ru, nikpras@bk.ru, brunkov@mail.ioffe.ru, V.Levitskiy@hevelsolar.com, lysakvv@ya.ru, Maleev@beam.ioffe.ru, vmust@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Выполнены исследования по оптимизации конструкции диэлектрического распределенного брэгговского отражателя (РБО), получаемого методом реактивного магнетронного распыления, для применения в вертикально-излучающих лазерах с внутрирезонаторными контактами (ВК-ВИЛ) ближнего ИК-диапазона. Показано, что снижение отражательной способности диэлектрических РБО на основе SiO2/TiO2 связано с диффузионным рассеянием света из-за поликристалличности слоев TiO2. Аморфные слои Ta2O5, напротив, обладают низкой шероховатостью поверхности и малой флуктуацией показателя преломления. Продемонстрированы одномодовые ВК-ВИЛ спектрального диапазона 980 nm с диэлектрическим РБО на основе SiO2/Ta2O5, имеющие пороговый ток менее 0.27 mA, электрическим сопротивлением менее 200 Omega и дифференциальной эффективностью более 0.8 W/A.
  • Michalzik R. VCSELs: Fundamentals, Technology and Applications of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers. Berlin: Springer-Verlag, 2013. P. 560
  • Knappe S., Shah V., Schwindt P.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85 (9). P. 1460
  • Schwindt P.D.D., Lindseth B., Knappe S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90 (8). P. 081 102
  • Lear K.L., Schneider R.P. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68 (5). P. 29
  • Newman P.G., Pamulapati J., Shen H. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2000. V. 18 (3). P. 1619
  • Wilmsen C., Temkin H., Coldren L.A. Vertical-cavity surface-emitting lasers. Cambridge: Cambridge University Press, 2002. P. 474
  • Lin C.-H., Thibeault B.J., Zheng Y. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2012. V. 31 (1). P. 011 205
  • Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Кулагина М.М. и др. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 7. С. 985--989
  • Малеев Н.А., Устинов В.М. // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара "Полупроводниковые лазеры и системы на их основе". 2013. С. 56--59
  • Zhang Y., Ma X., Chen P., Yang D. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 300 (2). P. 551
  • Meng L.-J., Teixeira V., Cui H.N. et al. // Appl. Surf. Sci. 2006. V. 252 (22). P. 7970
  • Jakobs S., Duparre A., Truckenbrodt H. // Appl. Opt. 1998. V. 37 (7). P. 1180
  • Вальковский Г.А., Байдакова М.В., Брунков П.Н. и др. // ФТТ. 2013. Т. 55. В. 3. С. 591--601
  • Zhang Z., von Wurtemberg R.M., Berggren J., Hammar M. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91 (10). P. 101 101
  • Jellison G.E., Modine F.A. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69 (3). P. 371
  • Mutig A., Fiol G., Potschke K. et al. // J. Sel. Top. Quantum Electron. 2009. V. 15 (3). P. 679
  • Li H., Wolf P., Moser P. et al. // J. Sel. Top. Quantum Electron. 2015. V. 21 (6). P. 1 700 409
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.