Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2016, выпуск 13 » Статья стр. 80
<<<>>>
Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
Емцев В.В.1, Заварин Е.Е.1, Оганесян Г.А.1, Петров В.Н.1, Сахаров А.В.1, Шмидт Н.М.1, Вьюгинов В.Н.2, Зыбин А.А.2, Парнес Я.М.2, Видякин С.И.3, Гудков А.Г.3, Черняков А.Е.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО "Светлана-Электронприбор", Санкт-Петербург, Россия
3Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
4НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
PDF версия
Приведены первые экспериментальные результаты, демонстрирующие корреляцию подвижности электронов в двумерном канале AlGaN/GaN транзисторных (AlGaN/GaN-HEMT) структур с характером организации наноматериала, а также с надежностью параметров транзисторов при эксплуатации. Показано, что улучшение характера организации наноматериала структур AlGaN/GaN-HEMT-структур, количественно охарактеризованное мультифрактальным параметром степени разупорядоченности (нарушение локальной симметрии) наноматериала, сопровождается существенным, в несколько раз, увеличением подвижности электронов в двумерном канале и надежности параметров транзисторов, полученных из этих структур.
  1. Kim H., Tilak V., Green V.M., Cha H., Smart J.A. // Phys. Stat. Sol. (a). 2001. V. 188. P. 203--206
  2. Marko P., Menegini M., Bychikhin S., Meneghesso G., Pogany D. // Microelectron. Reliability. 2012. V. 52. P. 2194--2199
  3. Richard Lossy, Herve Blanck, Joachim Wurfl // Microelectron. Reliability. 2012. V. 52. P. 2144--2148
  4. Lambert B., Labat N., Carisetti D., Brunel L., Mermoux M. // Microelectron. Reliability. 2012. V. 52. P. 2184--2187
  5. Lymperakis L. et al. // Phys. Rev. Lett. 2004. V. 93. P. 196--401
  6. Shmidt N.M., Kolmakov A.G., Emtsev V.V., Lundin W.V. // Nanotechnology. 2001. V. 12. P. 471--474
  7. Shalygin V.A., Vorobjev L.E., Firsov D.A., Sofronov A.N., Melentyev G.A., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 073 108
  8. Встовский Г.В., Колмаков А.Г., Бунин И.Ж. Введение в мультифрактальную параметризацию структур материалов. М.: Центр, 2001. 116 c
  9. Shalygin V.A., Vorobjev L.E., Firsov D.A., Sofronov A.N., Melentyev G.A., Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 073 108
  10. Shabunina E., Averkiev N., Chernyakov A., Levinshtein M., Petrov P., Shmidt N. // Phys. Status Solidi C: Curr. Top. Solid State Phys. 2013. V. 10. P. 335--337
  11. Torkhov N.A., Novikov V.A. // Semiconductors. 2011. V. 45. P. 69--74
  12. Морозовский А.Е., Снарский А.А. // ЖЭТФ. 1989. V. 95. P. 1844--1849

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme