"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/c-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
Ратников В.В.1, Нечаев Д.В.1, Жмерик В.Н.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, С-Петербург, Россия
Email: ratnikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 21 марта 2016 г.

Методами рентгеновской дифрактометрии изучены темплейты AlN/c-сапфир, полученные плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией. Продемонстрированы преимущества крупнозернистых нуклеационных слоев AlN, полученных с помощью высокотемпературной (780oС) эпитаксии с повышенной миграцией ЭПМ адатомов. Использование 3.5-nm вставок GaN (при их 3D-росте в N-обогащенных условиях) позволило получить темплейты с незначительными остаточными макронапряжениями и относительно узкими полуширинами (FWHM) кривых дифракционного отражения 0002 и 1015.
  • Properties of Group III Nitrides / Ed. by J.H. Edgar. London: INSPEC, 1991
  • Nechaev D.V., Aseev P.A., Jmerik V.N., Brunkov P.N., Kuznetsova Y.V., Sitnikova A.A., Ratnikov V.V., Ivanov S.V. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 378. P. 319
  • Jmerik V.N., Mizerov A.M., Nechaev D.V., Aseev P.A., Sitnikova A.A., Troshkov S.I., Kop'ev P.S., Ivanov S.V. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 354. P. 188
  • Moram M.A., Vickers M.E. // Rep. Prog. Phys. 2009. V. 72. P. 036 502
  • Нечаев Д.В., Жмерик В.Т., Мизеров А.М., Копьев П.С., Иванов С.В. // Письма в ЖТФ. 2012. T. 38. B. 9. С. 96
  • Nix W.D., Clemens B.V. // J. Mater. Res. 1999. V. 14. P. 3467
  • Romanov A.E., Speck J.S. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 2569
  • Bai J., Wang T., Lee K.B. et al. // Surf. Sci. 2008. V. 602. P. 26
  • Ivanov S.V., Nechaev D.V., Sitnikova A.A., Ratnikov V.V., Yagovkina M.A., Rzheutski N.V., Lutsenko E.V. Jmerik V.N. // Semicond. Sci. Technol. 2014. V. 29. P. 084 008
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.