Вышедшие номера
Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge
Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В.
Поступила в редакцию: 17 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

Экспериментально исследован волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs, выращенной на подложке Si с релаксированным буферным слоем Ge. При достижении величины плотности мощности возбуждения 35 kW/cm2 при температуре жидкого азота наблюдалось несколько линий стимулированного излучения в диапазоне энергий 1350-1360 meV.