"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Динамика формирования инверсного базового слоя в туннельных МДП-транзисторах в сильных электрических полях
Белов С.В.1, Остроумова Е.В.1, Рогачева Е.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: elena.ostroumova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Исследовались динамические процессы установления коллекторного тока и скорость формирования инверсной базы в туннельных транзисторных МДП-структурах с туннельно-тонким слоем диэлектрика и с протяженным эмиттерным окном, выполненные на основе гетероперехода Al-SiO2-n-Si.
  • Остроумова Е.В., Рогачев А.А. // ФТП. 1994. Т. 28. В. 8. С. 1411--1423
  • Ostroumova E.V., Rogachev A.A. // Appl. Surf. Sci. 2000. V. 166. P. 480--484
  • Ando T., Fowler A.B., Stern F. // Rev. Modern Physics. 1982. V. 54. P. 438--672
  • Rogachev A.A. // Handbook on Semiconductors / Rev. ed., T.S.Moss (Ed.) V. 1. Basic properties of semiconductors / P.T. Landsberg (Ed.). Elsevier Science B.V. 1992. Ch. 9. P. 449--487
  • Ostroumova E.V., Rogachev A.A. // Microelectronics J. 1998. V. 29. P. 701--708
  • Остроумова Е.В., Рогачев А.А. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 9. С. 1126--1129
  • Tiwary S., Wang W.I. // East. J. R. IEEE Trans. ED. 1990. V. 37. P. 1121--1131
  • Ching-Fuh Lin, Wei-Fang Lin, Eih-Zhe Liang, Ting-WeiSu // US patent 2003/0201434 A1
  • Chang C., Hu Ch., Brodersen R.W. // J. Appl. Phys. 1985. V. 57(20). P. 302--309
  • Kalganov V.D., Mileshkina N.V., Sapronov S.A, Ostroumova E.V. Rogacheva E.A. // Proc. 24-=SUP=-th-=/SUP=- IC (MIEL 2004). V. 2. Nis, Serbia and Montenegro, 2004. P. 195--197
  • Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 9. С. 1062--1068
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.