Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2014, выпуск 22 » Статья стр. 30
<<<>>>
Электрическая активность специальных границ в мультикремнии, выращенном из металлургического рафинированного кремния
Пещерова С.М.1, Непомнящих А.И.1, Павлова Л.А.1
1Институт геохимии им. А.П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук, Иркутск, Россия
Email: spescherova@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
PDF версия
Исследованы свойства специальных границ зерен в мультикремнии, выращенном из металлургического рафинированного кремния методом Бриджмена- Стокбаргера. Электрическую активность границ зерен исследовали методом наведенного тока (EBIC). Структурные особенности мультикремния определяли методами сканирующей электронной микроскопии (SEM, EPMA) и атомно-силовой микроскопии (AFM).
  1. Пещерова С.М., Непомнящих А.И., Бычинский В.А., Павлова Л.А., Сокольникова Ю.В. // Материаловедение. 2013. N 6. С. 52-56
  2. Nepomnyashchikh A.I., Presnyakov R.V., Eliseev I.A., Sokol'nikova Yu.V. // Technical Physics Letters. 2011. V. 37. N 15. P. 103-110
  3. Пещерова С.М., Павлова Л.А., Непомнящих А.И., Елисеев И.А., Сокольникова Ю.В. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012. N 4 (60). С. 12-17
  4. Chen J., Sekiguchi T., Xie R., Ahmet P., Chicyo T., Yang D., Ito S., Yin F. // Scripta Materialia. 2005. V. 52. P. 1211-1215
  5. Bailey J., Mc Hugo S.A., Hieslmair H., Weber E.R. // J. Electron. Mat. 1996. V. 25. P. 1417
  6. Mc Hugo S.A., Bailey J., Hieslmair H., Weber E.R. // J. Electron. Mat. 1994. V. 25. P. 1417
  7. Mc Hugo S.A., Hieslmair H., Weber E.R. // Appl. Phys. A. 1997. V. 64. P. 127
  8. Weber E.R. // Appl. Phys. A. 1983. V. 30. P. 1
  9. Davis J.R., Rohatgi A., Hopkins R.H., Blais P.D., Rai-Choudhury P., Mc Cormic J.R., Mollenkopf H.C. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1980. ED-27. P. 677
  10. Hopkins R.H., Rohatgi A. // J. Cryst. Growth. 1985. V. 75. P. 67
  11. Mc Hugo S.A. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 1984
  12. Voight A., Hassler C., Karg D., Strunk H.P., Pensl G., Schulz M. // Solid State Phenom. 1996. V. 51-52. P. 497
  13. Пещерова С.М., Непомнящих А.И., Павлова Л.А., Елисеев И.А., Пресняков Р.В. // Физика и техника полупроводников. 2014. T. 48. N 4. С. 492-497

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme