Вышедшие номера
Пространственные осцилляции электрического поля и плотности заряда в кремниевом p-i-n-диоде
Усанов Д.А.1, Горбатов С.С.1, Кваско В.Ю.1, Фадеев А.В.1, Калямин А.А.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: Fadey24@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

Проведены численный расчет распределения электрического поля и плотности заряда в p-i-n-диоде при прямом смещении, а также экспериментальные исследования этих характеристик с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа. Показана принципиальная важность учета зависимости коэффициента диффузии носителей заряда от электрического поля при описании процессов, протекающих в p-i-n-диодах. Численные результаты качественно согласуются с экспериментом.