Пространственно-временные структуры в поперечно-протяженной полупроводниковой системе
Астров Ю.А., Пурвинс Х.-Г.
Email: purwins@uni-muenster.de
Поступила в редакцию: 4 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.
Обнаружено, что в полупроводниковой системе с N-образной вольт-амперной характеристикой могут порождаться нестационарные структуры, неоднородные в направлении поперек тока. Предполагается, что в изученном случае образцов полуизолирующего GaAs большого поперечного сечения эффект обусловлен потерей устойчивости режима однородного движения домена.
- Adamatzky A. Computing in Nonlinear Media and Automata. Bristol: IoP Publishing, 2001. 410 p
- Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. // Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 416 с
- Neumann A. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. N 1. P. 1--26
- Struempel C., Astrov Yu.A., Purwins H.-G. // Phys. Rev. E. 2002. (Pt. 1-st June)
- Астров Ю.А. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 11/12. С. 1971--1989
- Marchenko V.M., Matern S., Portsel L.M. et al. // Proc. SPIE. 2002. V. 4669. P. 1--12
- Oscillations and traveling waves in chemical systems / Ed. by R. J. Field, M. Burger. Wiley: New York, 1985
- Vaitkus J.V., Irsigler R., Andersеn J. et al. // Nucl. Instr. \& Meth. Phys. Res. 2001. V. A460. P. 204--206
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук