Вышедшие номера
Особенности дефектообразования на деформируемой (111) поверхности кремния
Бетехтин В.И.1, Горобей Н.Н.1, Корсуков В.Е.1, Лукьяненко А.С.1, Обидов Б.А.1, Томилин А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Vladimir.Betekhtin@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

Методом сканирующей туннельной микроскопии изучается динамика рельефа грани Si (111), подвергаемой двухосному латеральному растяжению в двух случаях - после механической и химической полировки исходной поверхности. В обоих случаях, при некоторых различиях, общим является наличие динамики рельефа на нанометровом уровне и фрактальный характер пространственной структуры рельефа на поздних стадиях динамики.
  1. Нестеренко Б.А., Снитко О.В. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, 1983. 264 с
  2. Журков С.Н., Корсуков В.Е., Лукьяненко А.С. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1990. Т. 51. N 6. С. 324--326
  3. Горобей Н.Н., Князев С.А., Корсуков В.Е. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. N 1. С. 23--25
  4. Tersoff I., LeGones F.K. // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 72. N 22. P. 3570--3573
  5. Алехин В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов. М.: Наука, 1983. 280 с
  6. Bharathi M.S., Lebyodkin M., Ananthakrishna G. et al. // PRL. 2001. V. 37. N 16. P. 165 508--(1--4)
  7. Betekhtin V.I., Butenko P.N., Gilyarov V.L. et al. // Techn. Phys. Lett. 2002. V. 28. N 1. P. 26--29

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.